Вышедшие номера
Ab initio исследование термоэлектрических свойств йодидов CH33PbI3, CsSnI3, CH3NH3SnI3
Жуков В.П.1, Chulkov Е.V.2
1Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2HSE University, Москва, Россия
Email: zhukov_vladlen@mail.ru, evguenivladimirovich.tchoulkov@ehu.eus
Поступила в редакцию: 30 августа 2023 г.
В окончательной редакции: 30 августа 2023 г.
Принята к печати: 14 сентября 2023 г.
Выставление онлайн: 1 ноября 2023 г.

Выполнено теоретическое ab initio моделирование электронной зонной структуры и термоэлектрических свойств йодидов CH33PbI3, CsSnI3 и CH33SnI3. Метод моделирования основан на теории функционала электронной плотности, теории электрон-фононного взаимодействия, теории Больцмана-Онзагера термоэлектрических свойств и метода Слэка расчета фононной теплопроводности. Для широкого диапазона концентраций носителей вычислены температурные зависимости проводимости, коэффициента Зеебека, коэффициента теплопроводности, функции мощности и термоэлектрической добротности. Полученные значения добротности указывает на возможность получения на основе подобных соединений термоэлектриков с более высокой эффективностью. Показано, что наиболее перспективным для использования в качестве термоэлектрического материала является соединение CsSnI3. Ключевые слова: электронная зонная структура, метод PAW, теория Больцмана, транспортные характеристики, галогениды свинца и олова, ион метиламмония.