Вышедшие номера
Теплопроводность монокристаллов изотопно-обогащенного германия 70Ge, 72Ge, 74Ge в интервале 80-310 K
Переводная версия: 10.61011/PSS.2023.08.56589.65
Гибин А.М. 1, Абросимов Н.В. 2, Буланов A.Д.1, Гавва В.А. 1
1Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
2Leibniz-Institut fur Kristallzuchtung (IKZ), Berlin, Germany
Email: gibin@ihps-nnov.ru
Поступила в редакцию: 19 апреля 2023 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2023 г.
Принята к печати: 20 апреля 2023 г.
Выставление онлайн: 11 августа 2023 г.

В интервале температур 80-310 K проведены измерения температурной зависимости теплопроводности kappa(T) монокристаллов изотопно-обогащенного германия 70Ge (99.926%), 72Ge (99.980%), 74Ge (99.921%). В исследованной области температур теплопроводность определяется ангармоническими процессами рассеяния фононов, экспериментально наблюдается уменьшение величины теплопроводности с увеличением массы изотопа германия. Ключевые слова: теплопроводность, изотопы германия, монокристалл, изотопное обогащение, изотопный эффект, тепловое сопротивление. DOI: 10.21883/FTT.2023.08.56167.65
  1. T.R. Anthony, W.F. Banholzer, J.F. Fleischer, L. Wei, P.K. Kuo, R.L. Thomas, R.W. Pryor. Phys. Rev. B 42, 2, 1104 (1990)
  2. L. Wei, P.K. Kuo, R.L. Thomas, T.R. Anthony, W.F. Banholzer. Phys. Rev. Lett. 70, 24, 3764 (1993)
  3. J.R. Olson, R.O. Pohl, J.W. Vandersande, A. Zoltan, T.R. Anthony, W.F. Banholzer. Phys. Rev. B 47, 22, 14850 (1993)
  4. А.В. Гусев, А.М. Гибин, О.Н. Морозкин, В.А. Гавва, А.В. Митин. Неорган. материалы 38, 11, 1305 (2002)
  5. A.V. Inyushkin, A.N. Taldenkov, A.M. Gibin, A.V. Gusev, H.-J. Pohl. Phys. Status Solidi C 1, 11, 2995 (2004)
  6. R.K. Kremer, K. Graf, M. Cardona, G.G. Devyatykh, A.V. Gusev, A.M. Gibin, A.V. Inyushkin, A.N. Taldenkov, H.-J. Pohl. Solid State Commun. 131, 8, 499 (2005)
  7. A.V. Inyushkin, A.N. Taldenkov, J.W. Ager III, E.E. Haller, H. Riemann, N.V. Abrosimov, H-J. Pohl, P. Becker. J. Appl. Phys. 123, 9, 095112 (2018)
  8. T.H. Geballe, G.W. Hull. Phys. Rev. 110, 3, 773 (1958)
  9. В.И. Ожогин, А.В. Инюшкин, А.Н. Талденков, А.В. Тихомиров, Г.Э. Попов, Ю. Халлер, К. Ито. Письма в ЖЭТФ 63, 6, 463 (1996)
  10. M. Asen-Palmer, K. Bartkowski, E. Gmelin, M. Cardona, A.P. Zhernov, A.V. Inyushkin, A. Taldenkov, V.I. Ozhogin, K.M. Itoh, E.E. Haller. Phys. Rev. B 56, 15, 9431 (1997)
  11. А.П. Жернов, А.В. Инюшкин. УФН 171, 8, 827 (2001)
  12. А.В. Инюшкин, А.Н. Талденков, А.В. Гусев, А.М. Гибин, В.А. Гавва, Е.А. Козырев. ФТТ 55, 1, 202 (2013)
  13. M.F. Churbanov, V.A. Gavva, A.D. Bulanov, N.V. Abrosimov, E.A. Kozyrev, I.A. Andryushchenko, V.A. Lipskii, S.A. Adamchik, O.Yu. Troshin, A.Yu. Lashkov, A.V. Gusev. Cryst. Res. Technol. 52, 4, 1700026. (2017)
  14. В.А. Гавва, О.Ю. Трошин, С.А. Адамчик, А.Ю. Лашков, Н.В. Абросимов, А.М. Гибин, П.А. Отопкова, А.Ю. Созин, А.Д. Буланов. Неорган. материалы 58, 3, 258 (2022).
  15. J. Meija, T.B. Coplen, M. Berglund, W.A. Brand, P. De Bi\`evre, M. Groning, N.E. Holden, J. Irrgeher, R.D. Loss, T. Walczyk, T. Prohaska. Pure Appl. Chem. 88, 3, 293 (2016)
  16. G. Leibfried, E. Schlomann. Nach Ges.Wiss. Goettingen Math. Phys. K1, IIa, 4, 7193 (1954)
  17. P. Flubacher, A.J. Leadbetter, J.A. Morrison. Phil. Mag. 4, 39, 273 (1959)
  18. Б.М. Могилевский, А.Ф. Чудновский. Теплопроводность полупроводников. Наука, М. (1972). С. 396
  19. V. Ambegaokar. Phys. Rev. 114, 2, 488 (1959)
  20. C.J. Glassbrenner, G.A. Slack. Phys. Rev. 134, 4A, A1058 (1964)
  21. А.В. Инюшкин. Неорган. материалы 38, 5, 527 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.