Показано, что смешанное ионное облучение тонкой пленки NbN до флюенса 8.5·10¹⁶ cm^-2, меньшего, чем оптимальный (10·10¹⁶ cm^-2), может быть использовано при создании криогенных интегрированных сопротивлений в том случае, если значения рабочих токов устройства больше, чем все характерные токи переходов для облученных и стабилизированных отжигом пленок. При этом реализуются меньшие значения сопротивления на квадрат, что позволяет создавать меньшие значения номиналов интегрированных сопротивлений. Продемонстрировано, что отжиг облученной пленки при температуре 600^oC приводит к частичному возврату сверхпроводящих свойств и сопровождается появлением двух сверхпроводящих переходов при плотностях критического тока 0.45·10⁶ A/cm² и 1·10⁶ A/cm², что необходимо учитывать при необходимости применения стабилизирующего отжига при повышенной температуре. Ключевые слова: тонкие сверхпроводящие пленки NbN, ионное облучение, критические токи сверхпроводящих пленок, влияние облучения на сверхпроводящие свойства пленок NbN.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.