Вышедшие номера
Влияние осцилляций Фриделя на работу выхода нанопленок иттербия
Переводная версия: 10.21883/PSS.2023.06.56121.48
Кузьмин М.В. 1, Митцев М.А. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: m.kuzmin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 марта 2023 г.
В окончательной редакции: 28 марта 2023 г.
Принята к печати: 16 апреля 2023 г.
Выставление онлайн: 31 мая 2023 г.

Исследовано влияние стоячих волн зарядовой плотности (осцилляций Фриделя), генерируемых границей раздела вида металлическая нанопленка иттербия - монокристаллическая кремниевая подложка, на работу выхода нанослоев иттербия. Показано, что в интервале толщин нанопленок от 0 до 8 моноатомных слоев работа выхода носит осциллирующий характер. Такая особенность зависимости работы выхода нанопленок от их толщины является следствием того, что стоячие волны меняют немонотонно мощность двойного электрического слоя, который существует на поверхности металла и который оказывает влияние на работу выхода металла. Это и обуславливает, в конечном счете, осциллирующий характер зависимости работы выхода от толщины нанопленок. Ключевые слова: поверхность, нанопленка, работа выхода, осцилляции Фриделя, двойной электрический слой, иттербий.
  1. G. Cao, Y. Wang. Nanostructures and nanomaterials: synthesis, properties, and applications. World Scientific (2011). V. 2. 581 p. https://doi.org/10.1142/7885
  2. А.М. Шикин. Формирование, электронная структура и свойства низкоразмерных структур на основе металлов. ВВМ, СПб (2011). 432 с. ISBN 978-5-9651-0519-9
  3. М.Ю. Доломатов, Р.З. Бахтизин, Т.И. Шарипов. Физические основы наноэлектроники. Юрайт, М. (2023). 173 с. ISBN 978-5-534-14924-1
  4. М.В. Кузьмин, М.А. Митцев. ЖТФ 90, 1359 (2020)
  5. M.F. Cromme, C.P. Lutz, D.M. Elgler. Nature 363, 524 (1993)
  6. L.I. Johansson, H.I.P. Johansson, J.N. Andersen, E. Lundgren, R. Nyholm. Phys. Rev. Lett. 71, 2453 (1993)
  7. P.T. Sprunger, L. Peteren, E.W. Plummer, E. Laegsaard, F. Besenbacher. Science 275, 1764 (1997)
  8. P. Hofmann, B.G. Briner, M. Doering, H.-P. Rust, E.W. Plummer, A.M. Bradshaw. Phys. Rev. Lett. 79, 265 (1997)
  9. Zh. Zhang, Q. Niu, C.-K. Shih. Phys. Rev. Lett. 80, 5381 (1998)
  10. V.M. Silkin, I.A. Nechaev, E.V. Chulkov, P.M. Echenique. Surf. Sci. 600, 3875 (2006)
  11. M. Ono, T. Nishio, T. An, T. Eguchi, Y. Hasegawa. Appl. Surf. Sci. 256, 469 (2009)
  12. П. Гандри, Ф. Томпкинс. Поверхностный потенциал. В сб.: Экспериментальные методы исследования катализа / Под ред. Р. Андерсона. Мир, М. (1972). с. 104
  13. Optical properties of semiconductors. Handbook on semiconductors / Ed. M. Balkanski. North-Holland, Amsterdam (1994). V. 2. 857 p
  14. В.С. Фоменко. Эмиссионные свойства материалов. Справочник. Наук. думка. Киев (1981). 338 с
  15. Н. Ашкрофт, Н. Мермин. Физика твердого тела. Т. 1. Мир, М. (1979). / Пер. с англ. Nell W. Ashcroft, N. David Mermin. Solid State Physics. Cornel University. N.Y., Chicago, San Francisco, Atlanta, Dallas, Montreal, Toronto, London, Sydney
  16. Г.Г. Владимиров. Физическая электроника. Эмиссия и взаимодействие частиц с твердым телом. Лань, СПб (2013). 368 с
  17. J.R. Smith, Phys. Rev. 181, 522 (1969)
  18. Свойства элементов. Справочник. Металлургия, М. (1976). Ч. 1. 599 с.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.