Вышедшие номера
Управление микромагнитной структурой многофазных тонких пленок CoPt путем варьирования толщин слоев
Переводная версия: 10.21883/PSS.2023.06.56106.15H
Российский научный фонд, «Проведение исследований на базе существующей научной инфраструктуры мирового уровня» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, 21-79-20186
Дорохин М.В. 1, Дёмина П.Б. 1, Здоровейщев А.В. 1, Здоровейщев Д.А. 1, Темирязев А.Г.1,2, Темирязева М.П.2, Калентьева И.Л. 1, Трушин В.Н.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
Email: dorokhin@nifti.unn.ru, demina@phys.unn.ru, zdorovei@nifti.unn.ru, daniel.zdorov@gmail.com, temiryazev@gmail.com, mtemiryazeva@gmail.com, istery@rambler.ru, trushin@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 17 апреля 2023 г.
В окончательной редакции: 17 апреля 2023 г.
Принята к печати: 11 мая 2023 г.
Выставление онлайн: 31 мая 2023 г.

Исследованы магнитные свойства и микромагнитная структура многослойных магнитных пленок вида [Co/Pt]10, сформированных независимым варьированием толщин слоев Co и Pt. Показана возможность управления в широких пределах параметрами намагничивания пленки. Получено, что микромагнитная структура пленок существенно модифицируется при изменении толщин слоев, при этом изменения коррелируют с видом магнитополевой зависимости сопротивления Холла. В частности, для ряда структур методом магнитно-силовой микроскопии была выявлена система магнитных скирмионов, плотность которых зависит от условий роста и коррелирует с величиной остаточной намагниченности. Изменение толщин слоев Co и Pt позволяет управлять плотностью скирмионов в пределах от 0.2 до 10.5 mkm-2. Ключевые слова: микромагнитная структура, скирмионы, пленки CoPt, электронно-лучевое испарение.
  1. L. Wang, C. Liu, N. Mehmood, G. Han, Y. Wang, X. Xu, C. Feng, Z. Hou, Y. Peng, X. Gao, G. Yu. ACS Appl. Mater. Interfaces 11, 12098 (2019)
  2. P. Vlaic, E. Burzo. J. Opt. Adv. Mater. 12, 5, 1114 (2010)
  3. J.B. Newkirk, R. Smoluchowski, A.H. Geisler, D.L. Martin. J. Appl. Phys. 22, 290 (1951)
  4. A.W. Rushforth, P.C. Main, B.L. Gallagher, C.H. Marrows, B.J. Hickey, E.D. Dahlberg, P. Eames. J. Appl. Phys. 89, 7534 (2001)
  5. A.V. Zdoroveyshchev, O.V. Vikhrova, P.B. Demina, M.V. Dorokhin, A.V. Kudrin, A.G. Temiryazev, M.P. Temiryazeva. Int. J. Nanosci. 18, 3-4, 1940019 (2019)
  6. А.Г. Темирязев, М.П. Темирязева, А.В. Здоровейщев, О.В. Вихрова, М.В. Дорохин, П.Б. Демина, А.В. Кудрин. ФТТ 60, 11, 2158 (2018)
  7. А.Г. Темирязев, А.В. Здоровейщев, М.П. Темирязева. Изв. РАН, Сер. физ. 87, 3, 362 (2023)
  8. J.C. Woolley, J.H. Phillips, J.A. Clark. J. Less-Com. Met. 6, 461 (1964)
  9. N. Nagaosa, J. Sinova, S. Onoda, A.H. MacDonald, N.P. Ong. Rev. Mod. Phys. 82, 1539 (2010)
  10. M.V. Dorokhin, A.V. Zdoroveyshchev, M.P. Temiryazeva, A.G. Temiryazev, P.B. Demina, O.V. Vikhrova, A.V. Kudrin, I.L. Kalentyeva, M.V. Ved, A.N. Orlova, V.N. Trushin, A.V. Sadovnikov, D.A. Tatarskiy. J. All. Comp. 926, 166956 (2022)
  11. S.T. Ruggiero, A. Williams, C.E. Tanner, S. Potashnik, J. Moreland, W.H. Rippard. Appl. Phys. Lett. 82, 4599 (2003)
  12. Y. Yang, J.S. Chen, G.M. Chow. J. Appl. Phys. 109, 07B744 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.