Возбуждение терагерцевого излучения в p-n-гетероструктурах на основе a-Si:H/c-Si
Андрианов А.В.
1, Алешин А.Н.
1, Аболмасов С.Н.1,2, Теруков Е.И.
1,3,2, Захарьин А.О.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: alex.andrianov@mail.ioffe.ru, aleshin@transport.ioffe.ru, s.abolmasov@hevelsolar.com, Eug.terukov@mail.ioffe.ru, alex.zaharin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2023 г.
В окончательной редакции: 2 марта 2023 г.
Принята к печати: 13 марта 2023 г.
Выставление онлайн: 30 апреля 2023 г.
Приведены результаты исследования генерации терагерцового (THZ) излучения в p-n-гетероструктурах на основе a-Si:H/c-Si при их фотовозбуждении излучением фемтосекудного титан-сапфирового лазера с длиной воны 800 nm. Свойства наблюдаемого ТГц-излучения позволяют объяснить его возбуждением в структурах быстрого фототока неравновесных носителей заряда, созданных фемтосекундным межзонным фотовозбуждением в области потенциального барьера. Быстрый фототок в свою очередь излучает ТГц-электромагнитную волну. Волновые формы и амплитудные спектры наблюдаемого ТГц-излучения отражают динамику фотовозбужденных носителей заряда в структурах. По интенсивности ТГц-излучение, наблюдаемое в исследованных p-n-гетероструктурах на основе a-Si:H/c-Si, сопоставимо с ТГц-излучением, генерируемым в кристаллах n-InAs, широко применяемых как эмиттеры в системах ТГц-спектроскопии во временной области. Поэтому a-Si:H/c-Si p-n-гетероструктуры могут найти применение в качестве ТГц-эмиттеров для решения задач ТГц-спектроскопии. Ключевые слова: фемтосекундное лазерное фотовозбуждение, гетероструктуры, быстрый фототок, терагерцовое электромагнитное излучение.
- Yun-Shik Lee. Principles of Terahertz Science and Technology. Springer Science + Business Media, LLC (2009). 340 p
- J. Neu, C.A. Schmuttenmaer. J. Appl. Phys. 124, 231101 (2018)
- Terahertz Spectroscopy and Imaging / Eds K.-E. Peiponen, J.A. Zeitler, M. Kuwata-Gonokami. Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg (2013). 641 p
- А.В. Андрианов, А.Н. Алешин, Л.Б. Матюшкин. Письма в ЖЭТФ 109, 30 (2019)
- Terahertz Optoelectronics / Ed. K. Sakai. Springer-Verlag, Berlin (2005). 387 p
- V.L. Malevich, P.A. Ziaziukia, R. Norkus, V. Pacebutas, I. Nevinskas, A. Krotkus. Sensors 21, 4067 (2021)
- A.E. Yachmenev, D.V. Lavrukhin, I.A. Glinsky, N.V. Zenchenko, Y.G. Goncharov, I.E. Spektor, R.A. Khabibullin, T. Otsuki, D.S. Ponomarev. Opt. Eng. 59, 061608 (2019)
- C. Song, P. Wang, Y. Qian, G. Zhou, R. Notzel. Opt. Express 28, 25751 (2020)
- G. Ramakrishnan, G.K.P. Ramanandan, A.J.L. Adam, M. Xu, N. Rumar, R.W.A. Hendrikx, P.C.M. Planken. Opt. Express 21, 16784 (2013)
- L. Xu, X.-C. Zhang, D.H. Auston, B. Jalali. Appl. Phys. Lett. 59, 3357 (1991)
- E. Terukov, A. Kosarev,A. Abramov, E. Malchukova. From 11% Thin Film to 23% Heterojunction Technology (HJT) PV Cell: Research, Development and Implementation Related 1600x1000 mm2 PV Modulesin Industrial Production. IntechOpen, Solar Panels and Photovoltaic Materials (2018). Ch. 5
- A.S. Abramov, D.A. Andronikov, S.N. Abolmasov, E.I. Terukov. Silicon Heterojunction Technology: A Key to High Efficiency Solar Cells at Low Cost. In: High-Efficient Low-Cost Photovoltaics / Eds V. Petrova-Koch, R. Hezel, A. Goetzberger. Springer Nature Switzerland AG (2020). Ch. 7. P. 113-132
- A.V. Andrianov, A.N. Aleshin, V.N. Truhin, A.V. Bobylev. J. Phys. D 44, 265101 (2011)
- А.В. Андрианов, А.Н. Алешин, С.Н. Аболмасов, Е.И. Теруков, Е.В. Берегулин. Письма в ЖЭТФ 116, 825 (2022)
- J.F. Ward, J.K. Guha. Appl. Phys. Lett. 30, 276 (1977)
- S.L. Chuang, S. Smitt-Rink, B.I. Greene, P.N. Saeta, A.F.J. Levi. Phys. Rev. Lett. 68, 102 (1992)
- Y. Kadoya, T. Matsui, A. Takazato, J. Kitagawa. Joint Proc. of 32nd Int. Conf. Infrared and Millimeter Waves and the 15th Int. Conf. on Terahertz Electronics (02-09 September 2007) Cardiff, UK. P. 987-988
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
