Вышедшие номера
Особенности фактора термоэлектрической мощности капсулированных структур, образованных двумерными слоями
Переводная версия: 10.21883/PSS.2023.04.56007.15
Давыдов С.Ю.1, Посредник О.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Поступила в редакцию: 3 февраля 2023 г.
В окончательной редакции: 3 февраля 2023 г.
Принята к печати: 19 февраля 2023 г.
Выставление онлайн: 28 марта 2023 г.

В рамках модельного подхода получено выражения для фактора термоэлектрической мощности sigma S2 (sigma - статическая проводимость, S - коэффициент Зеебека), характеризующего моноатомный 2D-слой, образованный элементом IV группы, находящийся между обкладками, образованными гексагональными 2D-слоями соединений III-V. Подробно рассмотрена структура h-BN/графен/h-BN и проанализирована зависимость фактора sigma S2 от положения химического потенциала μ. Приведены аналитические оценки характерных значений функции sigma S^2(μ). Ключевые слова: статическая проводимость, коэффициент Зеебека, гексагональные моноатомные двумерные слои.
  1. A.M. Dehkordi, M. Zebarjadi, J. He, T.M. Tritt. Mater. Sci. Eng. R 97, 1 (2015)
  2. L.D. Hicks, M.S. Dresselhaus. Phys. Rev. B 47, 19, 12727 (1993)
  3. D. Li, Y. Gong, Y. Chen, J. Lin, Q. Khan, Y. Zhang, Y. Li, H. Zhang, H. Xie. Nano-Micro Lett. 12, 1, 36 (2020)
  4. T. Tan, X. Jiang, C. Wang, B. Yao, H. Zhang. Adv. Sci. 7, 11, 2000058 (2020)
  5. С.Ю. Давыдов. Письма в ЖТФ 47, 13, 52 (2021). [S.Yu. Davydov. Tech. Phys. Lett. 47, 9, 649 (2021).]
  6. С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник. ФТТ 58, 4, 779 (2016). [S.Yu. Davydov, O.V. Posrednik. Phys. Solid State 58, 4, 647 (2016).]
  7. Дж. Займан. Принципы теории твердого тела. Мир, М. (1974). Гл. 7. [J.M. Ziman. Principles of the theory of solids. University Press (1965).]
  8. Z.Z. Alisultanov. Low Temp. Phys. 39, 7, 592 (2013)
  9. С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник. ФТП 55, 7, 587 (2021). [S.Yu. Davydov, O.V. Posrednik. Semiconductors 55, 7, 782 (2021).]. DOI: 10.1134/S1063782621070071
  10. N.M.R. Peres, F. Guinea, A.H. Castro Neto. Phys. Rev. B 73, 12, 125411 (2006)
  11. С.Ю. Давыдов. ФТТ 60, 9, 1815 (2018). [S.Yu. Davydov. Phys. Solid State 60, 9, 1865 (2018).]
  12. С.Ю. Давыдов. ФТП 51, 2, 226 (2017). [S.Yu. Davydov. Semiconductors 51, 2, 217 (2017).]
  13. A.K. Geim, I.V. Grigorieva. Nature 499, 7459, 419 (2013)
  14. J. Duan, X. Wang, X. Lai, G. Li, K. Watanabe, T. Taniguchi, M. Zebarjadi, E.Y. Andrei. PNAS 113, 50, 14272 (2016)
  15. И.В. Антонова. ФТП 50, 1, 67 (2016). [I.V. Antonova. Semiconductors 50, 1, 66 (2016)]
  16. F.B. Wiggers, A. Fleurence, K. Aoyagi, T. Yonezawa, Y. Yamada-Takamura, H. Feng, J. Zhuang, Y. Du, A.Y. Kovalgin, M.P. de Jong. 2D Materials 6, 3, 035001 (2019)
  17. А.А. Варламов, А.В. Кавокин, И.А. Лукьянчук, С.Г. Шарапов. УФН 182, 11, 1229 (2012). [A.A. Varlamov, A.V. Kavokin, I.A. Luk'yanchuk, S.G. Sharapov. Phys.-Uspekhi 55, 11, 1146 (2012).]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.