Вышедшие номера
Влияние высокотемпературного отжига на физико-химические свойства систем на основе FeSix
Ministry of Education and Science of the Russian Federation, Program of Strategic Academic Leadership "Priority-2030", N-487-99
Николичев Д.Е. 1, Крюков Р.Н. 1, Здоровейщев А.В. 1, Кузнецов Ю.М. 1, Здоровейщев Д.А. 1, Дудин Ю.А. 1, Дорохин М.В. 1, Скрылев А.А. 1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: nikolitchev@phys.unn.ru, kriukov.ruslan@yandex.ru, zdorovei@nifti.unn.ru, y.m.kuznetsov@unn.ru, daniel.zdorov@gmail.com, ya-dudin@nifti.unn.ru, dorokhin@nifti.unn.ru, skrylev.lexa@mail.ru
Поступила в редакцию: 6 декабря 2022 г.
В окончательной редакции: 28 декабря 2022 г.
Принята к печати: 28 декабря 2022 г.
Выставление онлайн: 11 февраля 2023 г.

Установлено, что физико-химические свойства структур на основе силицидов железа, полученных ионной имплантацией ионов железа в кремний, существенно зависят от времени последующего высокотемпературного отжига. На поверхности образуются объекты с различными геометрическими параметрами и увеличивается шероховатость. Отжиг при 1000oC в атмосфере Ar сопровождается уменьшением содержания химической связи Fe-Si в первые 60 с. Причиной падения теплопроводности при увеличении температуры отжига является формирование силицидных комплексов. Ключевые слова: силицид железа, термоэлектрик, ионная имплантация, химический состав, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия. DOI: 10.21883/FTT.2023.03.54752.547
  1. D.M. Rowe. Thermoelectrics Handbook. Macro to Nano. Boca Raton: CRC/Taylor \& Francis, N.W. (2006). P. 28-91. https://doi.org/10.1201/9781420038903
  2. Y.C. Dou, X.Y. Qin, D. Li, L.L. Li, T.H. Zou, Q.Q. Wang. J. Appl. Phys. 114, 4, 044906 (2013). https://doi.org/10.1063/1.4817074
  3. Q. Wan, T.H. Wang, C.L. Lin. Appl. Phys. Lett. 82, 19, 3224 (2003). https://doi.org/10.1063/1.1574845
  4. K. Yamaguchi, K. Shimura, H. Udono, M. Sasase, H. Yamomoto, S. Shamoto, K. Hojou. Thin Solid Films 508, 1--2, 367 (2006). https://doi.org/10.1016/j.tsf.2005.07.354
  5. I.A. Tarasov, M.A. Visotin, A.S. Aleksandrovsky, N.N. Kosyrev, I.A. Yakovlev, M.S. Molokeev, A.V. Lukyanenko, A.S. Krylov, A.S. Fedorov, S.N. Varnakov, S.G. Ovchinnikov. J. Magn. Magn. Mater. 440, 15, 144 (2017). https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2016.12.084
  6. H. Lange. Physica Status Solidi B 201, 1, 3 (1997). DOI: 10.1002/1521-3951(199705)201:1<3::AID-PSSB3>3.0.CO;2-W
  7. R. Fortulan, S.A. Yamini. Mater. 14, 20, 6059 (2021). DOI: 10.3390/ma14206059
  8. A.V. Boryakov, S.I. Surodin, R.N. Kryukov, D.E. Nikolichev, S.Yu. Zubkov. J. Electron Spectroscopy. Rel. Phenomena 229, 132 (2018). https://doi.org/10.1016/j.elspec.2017.11.004
  9. N. Ohtsu, M. Oku, A. Nomura, T. Sugawara, T. Shishido, K. Wagatsuma. Appl. Surf. Sci. 254, 11, 3288 (2008). https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2007.11.005
  10. A.V. Sidashov, A.T. Kozakov, V.I. Kolesnikov, D.S. Manturov, S.I. Yaresko. J. Friction. Wear 41, 6, 549 (2020). DOI: 10.3103/S1068366620060185
  11. K. Maize, Y. Ezzahri, X. Wang, S. Singer, A. Majumdar, A. Shakouri. In: Twenty-fourth Annual IEEE Semiconductor Thermal Measurement and Management Symposium / Eds R. Wilcoxon, R. Collins. IEEE Service Center, Piscataway (2008). P. 185. DOI: 10.1109/STHERM.2008.4509388
  12. http://www.srim.org
  13. Е.А. Чусовитин, С.В. Ваванова, И.А. Петрушкин, Н.Г. Галкин, Р.М. Баязитов, Р.И. Баталов, Г.Д. Ивлев, Т.С. Шамирзаев. Хим. физика и мезоскопия 11, 3, 374 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.