Вышедшие номера
Крупномасштабные флуктуации потенциала, обусловленные неоднородностью состава SiOx
Новиков Ю.Н.1, Гриценко В.А.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: nov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 20 июля 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.

Методом высокоразрешающей рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии изучен ближний порядок в аморфных пленках SiOx (0=<q x=<q2). Как модель случайных связей, так и модель случайной смеси не описывают экспериментальные фотоэлектронные спектры SiOx (x=<q2). Предложена промежуточная модель строения SiOx. Измеренные фотоэлектронные спектры валентной зоны SiOx (x=<q2) свидетельствуют о присутствии в них кремниевой фазы и оксида кремния. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант N 10-07-00531-a) и интеграционным проектом N 70 СО РАН.
  1. M.C. Rossi, S. Salvatori, F. Scrimizzi, F. Galluzzi, R. Janssen, M. Stutzmann. J. Lumin. 80, 405 (1998)
  2. I.Z. Indutnyy, P.E. Shepeliavyi, E.V. Michailovskaya, C.W. Park, J.B. Lee, Y.R. Do. J. Techn. Phys. 47, 720 (2006)
  3. C. Banerjee, J. Sritharathikhum, A. Yamada, M. Konagai. J. Phys. D. 41, 1 (2008)
  4. N.V. Duy, S. Jung, K. Kim, D.N. Son, N.T. Nga, J. Cho, B. Choi, J. Yi. J. Phys. D: 43, 1 (2010)
  5. V.A. Gritsenko, J.B. Xu, R.W.M. Kwok, Y.N. Ng, I.H. Wilson. Phys. Rev. Lett. 81, 1054 (1998)
  6. В.А. Гриценко. УФН 178, 727 (2008)
  7. P. Bruesch, T. Stockmeier, F. Stucki, P.A. Buffat. J. Appl. Phys. 73, 7677 (1993)
  8. F.G. Bell, L. Ley. Phys. Rev. B 37, 8383 (1988)
  9. V.A. Gritsenko, Y.G. Shavalgin, P.A. Pundur, H. Wong, W.M. Kwok. Philos. Mag. B 80, 1857 (2000)
  10. S. Hasegawa, L. He, T. Inokuma, Y. Kurata. Phys. Rev. B 46, 12 478 (1992)
  11. D.V. Tsu, G. Lucovsky, B.N. Davidson. Phys. Rev. B 40, 1795 (1989)
  12. В.А. Гриценко, Д.В. Гриценко, Ю.Н. Новиков, Р.В.М. Квок, И. Белло. ЖЭТФ 125, 868 (2004)
  13. J.-J. Yen. Atomic calculation of photoionization cross-section and asymmetry parameters. Gordon and Breach Science Publisher, New Jersey, USA (1993). P. 223
  14. E. Martinez, F. Yndurain. Phys. Rev. B 24, 5718 (1981)
  15. Y. Kanemitsu, S. Okamoto, M. Otobe, S. Oda. Phys. Rev. B 55, R7375 (1997)
  16. R.A. Puglisi, G. Nicotra, S. Lombardo, B.D. Salvo, C. Gerardi. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 830, D5.6.1 (2005)
  17. Y. Kanzawa, S. Hayashi, K. Yamamoto. J. Phys.: Cond. Matter 8, 4823 (1996)
  18. W.L. Zhang, S. Zhang, M. Yang, Z. Liu, Z. Cen, T. Chen, D. Liu. Vacuum 84, 1043 (2010)
  19. D. Nesheva, C. Raptis, A. Perakis, I. Bineva, Z. Aneva, Z. Levi, S. Alexandrova, H. Hofmeister. J. Appl. Phys. 92, 4678 (2002)
  20. Y.C. Fang, W.Q. Li, L.J. Qi, L.Y. Li, Y.Y. Zhao, Z.J. Zhang, M. Lu. Nanotechnol. 15, 494 (2004)
  21. А.П. Барабан, Д.В. Егоров, Ю.В. Петров, Л.В. Милоглядова. Письма в ЖТФ 30, 1 (2004)
  22. E.V. Kolesnikova, M.V. Zamoryanskaya. Physica B 404, 4653 (2009)
  23. T.W. Hickmott, J.E. Baglin. J. Appl. Phys. 50, 317 (1979)
  24. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). С. 416
  25. В.А. Гриценко, К.С. Журавлев, В.А. Надолинный. ФТТ 53, 803 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.