Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эффективность локализации электрически инжектированных носителей заряда в квантовой яме InGaN|GaN, ограниченная объемным зарядом

DOI: 10.21883/FTT.2023.01.53936.458

Переводная версия: 10.21883/PSS.2023.01.54987.458

Бочкарева H.И.¹, Шретер Ю.Г.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: y.shreter@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 5 сентября 2022 г.

В окончательной редакции: 5 сентября 2022 г.

Принята к печати: 6 сентября 2022 г.

Выставление онлайн: 12 ноября 2022 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Механизм влияния дефектов в GaN на эффективность локализации в квантовой яме InGaN|GaN электрически инжектированных носителей заряда исследуется с помощью туннельной спектроскопии глубоких центров. Обнаружено, что зависимости квантовой эффективности и спектральной эффективности излучательной рекомбинации от прямого смещения имеют вид кривых с максимумом и горбами при смещениях, соответствующих примесным зонам центров окраски в GaN. Падение квантовой эффективности с ростом смещения сопровождается голубым сдвигом спектра излучения. Мы объясняем эти эффекты на основе модели локализации носителей в квантовой яме, учитывающей значительный вклад в туннельную проницаемость потенциальных стенок квантовой ямы ионизованных глубоких центров окраски и их перезарядки по мере возрастания прямого смещения. Ключевые слова: нитрид галлия, квантовая яма, локализация носителей заряда, туннелирование, квантовая эффективность, центры окраски.

S. Nakamura, G. Fasol. The Blue Laser Diode: GaN Based Light Emitters and Lasers. Springer (1998)
D. Feezell, S. Nakamura. Comptes Rendus Physique 19, 3, 113 (2018)
C.H. Qiu, C. Hoggatt, W. Melton, M.W. Leksono, J.I. Pankove. Appl. Phys. Lett. 66, 20, 2712 (1995)
O. Ambacher, W. Reiger, P. Ansmann, H. Angerer, T.D. Moustakas, M. Stutzmann. Solid State Commun. 97, 5, 365 (1996)
P. Perlin, M. Osinski, P.G. Eliseev, V.A. Smagley, J. Mu, M. Banas, P. Sartori. Appl. Phys. Lett. 69, 12, 1680 (1996)
J.R. Lang, N.G. Young, R.M. Farrell, Y.R. Wu, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett. 101, 18, 181105 (2012)
H. Zhang, E.J. Miller, E.T. Yu. J. Appl. Phys. 99, 2, 023703 (2006)
Л. Эсаки. Туннельные явления в твердых телах / Под ред. В.И. Переля. Мир, М. (1973). [In: Tunneling phenomena in solids / Eds E. Burstain, S. Lundqvist. Plenium Press, N. Y. (1969). Ch. 5]
S.F. Chichibu, Y. Kawakami, T. Sota. In: Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes / Eds S. Naramura, S.F. Chichibu. Taylor \& Francis, L. and N. Y. (2000). Ch. 5
N.I. Bochkareva, A.M. Ivanov, A.V. Klochkov, Y.G. Shreter. J. Phys.: Conf. Ser. 1697, 012203 (2020)
M.A. Reshchikov, H.J. Morko c. J. Appl. Phys. 97, 6, 061301 (2005)
Н.И. Бочкарева, Ю.Г. Шретер. ФТТ 64, 3, 371 (2022)
S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, T. Mukai. Jpn J. Appl. Phys. 34, 10B, L1332 (1995)
Y.T. Rebane, N.I. Bochkareva, V.E. Bougrov, D.V. Tarkhin, Y.G. Shreter, E.A. Girnov, S.I. Stepanov, W.N. Wang, P.T. Chang, P.J. Wang. Proceed. SPIE 4996, 113 (2003)
A. David, M.J. Grundmann, J.F. Kaeding, N.F. Gardner, T.G. Mihopoulos, M.R. Krames. Appl. Phys. Lett. 92, 5, 053502 (2008)
A.G. Chynoweth, W.L. Feldmann, R.A. Logan. Phys. Rev. 121, 3, 684 (1961)
Л.В. Келдыш. ЖЭТФ 33, 4, 994 (1957); 34, 4, 962 (1958)
S.F. Chichibu, A. Uedono, K. Kojima, H. Ikeda, K. Fujito, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, S. Ishibashi. J. Appl. Phys. 123, 16, 161413 (2018)
C. Gourdon, P. Lavallard. Phys. Status Solidi B 153, 2, 641 (1989)
А.А. Клочихин, С.А. Пермогоров, А.Н. Резницкий. ФТТ 39, 7, 1170 (1997)
Н.И. Бочкарева, И.А. Шеремет, Ю.Г. Шретер. ФТП 50, 10, 1387 (2016)
T. Tiedje, A. Rose. Solid State Commun. 37, 1, 49 (1980)
D. Monroe. Phys. Rev. Lett. 54, 2, 146 (1985)
Y. Narukawa, Y. Kawakami, S. Fujita, S. Fujita, S. Nakamura. Phys. Rev. B 55, 4, R1938 (1997)
S.F. Chichibu, H. Marchand, M.S. Minsky, S. Keller, P.T. Fini, J.P. Ibbetson, S.B. Fleischer, J.S. Speck, J.E. Bowers, E. Hu, U.K. Mishra, S.P. DenBaars, T. Deguchi, T. Sota, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett. 74, 10, 1460 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель