Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2022, выпуск 11 » Статья стр. 1681
<<<>>>
Эффект интерфейсного легирования системы наностержней оксида цинка
DOI: 10.21883/FTT.2022.11.53320.408
Переводная версия: 10.21883/PSS.2022.11.54187.408
Рябко А.А. 1, Мазинг Д.С. 2, Бобков А.А. 2, Максимов А.И. 2, Левицкий В.С. 1, Лазнева Э.Ф. 3, Комолов А.С. 3, Мошников В.А. 2, Теруков Е.И. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: a.a.ryabko93@yandex.ru, dmazing@yandex.ru, darklord125@mail.ru, aimaximov@mail.ru, lev-vladimir@yandex.ru, akomolov07@yandex.ru, vamoshnikov@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 июня 2022 г.
В окончательной редакции: 16 июня 2022 г.
Принята к печати: 18 июня 2022 г.
Выставление онлайн: 23 августа 2022 г.
PDF версия
Обнаружен эффект возрастания электропроводности системы наностержней оксида цинка ZnO в 105 раз при атомно-слоевом осаждении тонкого диэлектрического слоя оксида алюминия Al2O3. Показано, что изменение электропроводности ZnO при атомно-слоевом осаждении Al2O3 на поверхность наблюдается также в случае ZnO в виде тонких поликристаллических слоев. Представлено исследование поликристаллических слоев ZnO с покрытием из Al2O3 с помощью ультрафиолетовой и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. На основе результатов фотоэлектронной спектроскопии предложены два основных фактора изменения электропроводности, заключающиеся в образовании двумерного электронного газа на интерфейсе ZnO|Al2O3 и легировании приповерхностной области ZnO атомами алюминия. Ключевые слова: наностержни, оксид цинка, оксид алюминия, атомно-слоевое осаждение, прозрачные электроды, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия.
  1. U. Ozgur, Y.I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M.A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S.J. Cho, H.A. Morkoc. J. Appl. Phys. 98, 4, 041301 (2005)
  2. P.R. Brown, R.R. Lunt, N. Zhao, T.P. Osedach, D.D. Wanger, L.-Y. Chang, M.G. Bawendi, V. Bulovic. Nano Lett. 11, 7, 2955 (2011)
  3. A. Takahashi, H. Wang, T. Fukuda, N. Kamata, T. Kubo, H. Segawa. Energies 13, 19, 5037 (2020)
  4. D.S. Ahmed, B.K. Mohammed, M.K.A. Mohammed. J. Mater Sci 56, 27, 15205 (2021)
  5. L.-M. Wang, C.-Y. Wang, C.-R. Jheng, S.-J. Wu, C.-K. Sai, Y.-J. Lee, C.-Y. Chiang, B.-Y. Shew. Appl. Phys. A 122, 8, 731 (2016)
  6. L.M. Wong, S.Y. Chiam, W.K. Chim, J.S. Pan, S.J. Wang. Thin Solid Films 545, 285 (2013)
  7. D.C. Look, K.D. Leedy, L. Vines, B.G. Svensson, A. Zubiaga, F. Tuomisto, D.R. Doutt, L.J. Brillson. Phys. Rev. B 84, 11, 115202 (2011)
  8. Y. Wu, P.M. Hermkens, B.W.H. van de Loo, H.C.M. Knoops, S.E. Potts, M.A. Verheijen, F. Roozeboom, W.M.M. Kessels. J. Appl. Phys. 114, 2, 024308 (2013)
  9. Y.-J. Lu, H.-F. Li, C.-X. Shan, B.-H. Li, D.-Z. Shen, L.-G. Zhang, S.-F. Yu. Opt. Express 22, 14, 7524 (2014)
  10. A. Rasool, M.C.S. Kumar, M.H. Mamat, C. Gopalakrishnan, R. Amiruddin. J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 31, 9, 7100 (2020)
  11. M. Ding, D. Zhao, B. Yao, S.E.Z. Guo, L. Zhang, D. Shen. Opt. Express 20, 13, 13657 (2012)
  12. M. Willander, M.Q. Israr, J.R. Sadaf, O. Nur. Nanophotonics 1, 1, 99 (2012)
  13. V. Consonni, J. Briscoe, E. Karber, X. Li, T. Cossuet. Nanotechnol. 30, 36, 362001 (2019)
  14. J. Al-Sabahi, T. Bora, M. Al-Abri, J. Dutta. Materials 9, 4, 238 (2016)
  15. S. Xu, Y. Qin, C. Xu, Y. Wei, R. Yang, Z.L. Wang. Nature Nanotechnol. 5, 5, 366 (2010)
  16. Л.К. Крастева, Д.Ц. Димитров, К.И. Папазова, Н.К. Николаев, Т.В. Пешкова, В.А. Мошников, И.Е. Грачева, С.С. Карпова, Н.В. Канева. ФТП 47, 4, 564 (2013)
  17. A. Bobkov, A. Varezhnikov, I. Plugin, F.S. Fedorov, V. Trouillet, U. Geckle, M. Sommer, V. Goffman, V. Moshnikov, V. Sysoev. Sensors 19, 19, 4265 (2019)
  18. А.А. Рябко, А.А. Бобков, С.С. Налимова, А.И. Максимов, В.С. Левицкий, В.А. Мошников, Е.И. Теруков. ЖТФ 92, 5, 758 (2022)
  19. А.А. Рябко, С.С. Налимова, Д.С. Мазинг, О.А. Корепанов, А.М. Гукетлов, О.А. Александрова, А.И. Максимов, В.А. Мошников, З.В. Шомахов, А.Н. Алешин. ЖТФ 92, 6, 845 (2022)
  20. А.Б. Никольская, С.С. Козлов, М.Ф. Вильданова, О.И. Шевалеевский. ФТП 53, 4, 550 (2019)
  21. S. Zang, Y. Wang, W. Su, H. Zhu, G. Li, X. Zhang, Y.  Liu. Phys. Status Solidi RRL 10, 10, 745 (2016)
  22. S. Ozu, Y. Zhang, H. Yasuda, Y. Kitabatake, T. Toyoda, M. Hirata, K. Yoshino, K. Katayama, S. Hayase, R. Wang, Q. Shen. Frontiers. Energy Res. 7, 11 (2019)
  23. B. Wei, Z. Tang, S. Wang, C. Qing, C. Li, X. Ding, Y. Gao, X. Portier, F. Gourbilleau, D. Stievenard, T. Xu. Nanotechnol. 29, 39, 395204 (2018)
  24. S. Zang, Y. Wang, M. Li, W. Su, M. An, X. Zhang, Y. Liu. Chin. Phys. B 2, 1, 018503 (2018)
  25. K.R. Nandanapalli, D. Mudusu. ACS Appl. Nano Mater. 1, 8, 4083 (2018)
  26. K. Gawlinska-Necek, M. Wlazlo, R. Socha, I. Stefaniuk, L. Major, P. Panek. Materials 14, 4, 1038 (2021)
  27. H.-Y. Chen, H.-L. Lu, L. Sun, Q.-H. Ren, H. Zhang, X.-M. Ji, W.-J. Liu, S.-J. Ding, X.-F. Yang, D.W. Zhang. Sci. Rep. 6, 38486 (2016)
  28. D. Garcia-Alonso, S. Smit, S. Bordihn, W.M.M. Kessels. Semicond. Sci. Technol. 28, 8, 082002 (2013)
  29. B. Min, J.S. Lee, J.W. Hwang, K.H. Keem, M.I. Kang, K. Cho, M.Y. Sung, S. Kim, M.-S. Lee, S.O. Park, J.T. Moon. J. Crystal Growth 252, 4, 565 (2003)
  30. M. Steglich, A. Bingel, G. Jia, F. Falk. Solar Energy Mater. Solar Cells 103, 62 (2012)
  31. K. Zhao, J. Xie, Y. Zhao, D. Han, Y. Wang, B. Liu, J. Dong. Nanomater. 12, 2, 172 (2022)
  32. А.А. Рябко, А.И. Максимов, В.Н. Вербицкий, В.С. Левицкий, В.А. Мошников, Е.И. Теруков. ФТП 54, 11, 1251 (2020)
  33. A. Komolov, K. Schaumburg, P.J. Moller, V.V. Monakhov. Appl. Surf. Sci. 142, 1--4, 591 (1999)
  34. J. Joo, B.Y. Chow, M. Prakash, E.S. Boyden, J.M. Jacobson. Nature Mater. 10, 8, 596 (2011)
  35. S. Iaiche, A. Djelloul. J. Spectroscopy 2015, 836859 (2015)
  36. H.H.-Ch. Lai, T. Basheer, V.L. Kuznetsov, R.G. Egdell, R.M.J. Jacobs, M. Pepper, P.P. Edwards. J. Appl. Phys, 112, 8, 083708 (2012)
  37. S. Wu, M.-Y. Lin, S.-H. Chang, W.-C. Tu, C.-W. Chu, Y.-C. Chang. J. Phys. Chem. C 122, 1, 236 (2018)
  38. J. Yang, B.S. Eller, M. Kaur, R.J. Nemanich. J. Vacuum Sci. Technol. A 32, 2, 021514 (2014)
  39. A. Mov skova, M. Mov sko, M. Precner, M. Mikolav sek, A. Rosova, M. Miv cuv si k, V. v Strbi k, J. v Soltys, F. Gucmann, E. Dobrov cka, K. Frohlich. J. Appl. Phys. 130, 3, 035106 (2021)
  40. R.E. Vesto, R. Wilson, H. Choi, K. Kim. AIP Advances 10, 9, 095211 (2020)
  41. С.С. Карпова, В.А. Мошников, С.В. Мякин, Е.С. Коловангина. ФТП 47, 3, 369 (2013)
  42. С.С. Карпова, В.А. Мошников, А.И. Максимов, С.В. Мякин, Н.Е. Казанцева. ФТП 47, 8, 1022 (2013)
  43. И.А. Пронин, Н.Д. Якушова, И.А. Аверин, А.А. Карманов, А.С. Комолов, М.М. Сычев, В.А. Мошников, Е.И. Теруков. Неорган. материалы 57, 11, 1207 (2021).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme