Вышедшие номера
Диффузия фосфора и галлия из напыленного слоя фосфида галлия в кремний
Зикриллаев Н.Ф.1, Ковешников С.В.1, Турекеев Х.С.1, Норкулов Н.2, Тачилин С.А.1
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
2Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан
Email: axmet-8686@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 4 июля 2022 г.
Принята к печати: 4 июля 2022 г.
Выставление онлайн: 23 августа 2022 г.

Исследовалась диффузия из слоя фосфида галлия GaP, напыленного на поверхность кремния. После диффузии образцы кремния исследовались методом Ван-дер-Пау и с помощью сканирующего электронного микроскопа, с целью определения концентрационного распределения примесных атомов фосфора и галлия. Ключевые слова: диффузия, фосфид галлия, кремний, растворимость, концентрация, бинарные комплексы.
  1. М.К. Бахадырханов, С.Б. Исамов. ЖТФ 91, 1, 1678 (2021)
  2. М.К. Бахадирханов, Н.Ф. Зикриллаев, С.Б. Исамов, Х.С. Турекеев, С.А. Валиев. ФТП 56, 2, 199 (2022)
  3. М.К. Бахадырханов, З.Т. Кенжаев, С.В. Ковешников, А.А. Усмонов, Г.Х. Мавлонов. Неорган. материалы 58, 1, 3 (2022)
  4. К.А. Исмайлов, З.Т. Кенжаев, С.В. Ковешников, Е.Ж. Косбергенов, Б.К. Исмайлов. ФТТ 64, 5, 519 (2022)
  5. M.K. Bakhadyrkhanov, Kh.M. Iliev, G.Kh. Mavlonov, K.S. Ayupov, S.B. Isamov, S.A. Tachilin. Tech. Phys. 64, 3, 385 (2019)
  6. М.К. Бахадырханов, С.Б. Исамов, Н.Ф. Зикриллаев, Х.М. Илиев, Г.Х. Мавлонов, С.В. Ковешников, Ш.Н. Ибодуллаев. Электронная обработка материалов 56, 2, 14 (2020)
  7. S. Adachi. Properties of group-IV, III-V and II-VI semiconductors. John Wiley and Sons Ltd (2005). 400 p
  8. A.S. Saidov, D.V. Saparov, Sh.N. Usmonov, A. Kutlimuratov, J.M. Abdiev, M. Kalanov, A.Sh. Razzakov, A.M. Akhmedov. Adv. Condens. Matter Phys. Hindawi 2021. Article ID 3472487 (2021). https://doi.org/10.1155/2021/3472487
  9. Г.М. Зеер, О.Ю. Фоменко, О.Н. Ледяева. Журн. Сибир. федерального ун-та. Химия 4, 2, 287 (2009)
  10. Д.В. Рязанов. Автореф. канд.дисс. Взаимодействия компонентов в фосфиде галлия и его растворах в галлии. Воронеж. гос. техн. ун-т. Воронеж (1998). 18 с
  11. С.П. Яценко, Л.А. Пасечник, В.М. Скачков, Г.М. Рубинштейн. Галлий: технология получения и применение жидких сплавов. Изд-во РАН, М. (2020). 344 c. ISBN 978-5-907036-93-2
  12. R. Fornari, A. Brinciotti, A. Sentiri, T. Gorog, M. Curti, G. Zuccalli. J. Appl. Phys. 75, 5, 2406 (1994)
  13. Е.К. Казенас, Д.М. Чижиков. Давление и состав пара над окислами химических элементов. Наука, М. (1976). 344 c
  14. M.W. Hwang, M.Y. Um, Y-H. Kim, S.K. Lee, H.J. Kim, W.Y. Park. J. Korean Vacuum Sci. Technol. 4, 3, 73 (2000)
  15. E. Tannenbaum. Solid State Electronics 2, 2-3, 123 (1961). DOI: 10.1016/0038-1101(61)90029-6
  16. Б.И. Болтакс. Диффузия в полупроводниках. Физматгиз, М. (1961). 462 с
  17. И.И. Новиков. Дефекты кристаллического строения металлов. Металлургия, М. (1975). 207 с
  18. G. Kaiblinger-Grujin, H. Kosina, S. Selberherr. J. Appl. Phys. 83, 6, 3096 (1998)
  19. M.K. Bakhadyrkhanov, U.X. Sodikov, Kh.M. Iliev, S.A. Tachilin, T. Wumaier. Mater. Phys. Chem. 1, 1, 8 (2019). DOI: 10.18282/mpc.v1i1.569
  20. M.K. Bakhadirkhanov, S.B. Isamov, Z.T. Kenzhaev. EuroAsian J. Semicond. Sci. Eng. 2, 5, 9 (2020)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.