Вышедшие номера
Джозефсоновские туннельные переходы с интегральным СИН-шунтированием
Российский научный фонд, 20-42-04415
МНВО РФ, УНУ #352529 "Криоинтеграл", соглашение № 075-15-2021-667
Шевченко М.С.1,2, Филиппенко Л.В.1, Киселев О.С.1,3, Кошелец В.П.1,3
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
3Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: shevchenko@hitech.cplire.ru, lyudmila@hitech.cplire.ru, kiselev@hitech.cplire.ru, valery@hitech.cplire.ru
Поступила в редакцию: 29 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 29 апреля 2022 г.
Принята к печати: 12 мая 2022 г.
Выставление онлайн: 21 июня 2022 г.

Посвящена исследованию туннельных джозефсоновских переходов сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник (СИС) с новым типом шунтирования, основанном на использовании дополнительного перехода сверхпроводник-изолятор-нормальный металл (СИН), расположенного вокруг СИС-перехода. В ходе исследования были проведены численные расчеты параметров таких шунтированных переходов и выполнено моделирование их вольтамперных характеристик (ВАХ). Спроектированные образцы были изготовлены, проведены исследования их параметров; измерены ВАХи переходов с различной степенью шунтирования, исследовано поведение переходов под воздействием высокочастотных сигналов в суб-ТHz-диапазоне. Ключевые слова: cверхпроводниковые устройства, туннельный переход сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник, эффект Джозефсона, шунтирование джозефсоновского перехода.