Вышедшие номера
Джозефсоновские туннельные переходы с интегральным СИН-шунтированием
Российский научный фонд, 20-42-04415
МНВО РФ, УНУ #352529 "Криоинтеграл", соглашение № 075-15-2021-667
Шевченко М.С.1,2, Филиппенко Л.В.1, Киселев О.С.1,3, Кошелец В.П.1,3
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
3Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: shevchenko@hitech.cplire.ru, lyudmila@hitech.cplire.ru, kiselev@hitech.cplire.ru, valery@hitech.cplire.ru
Поступила в редакцию: 29 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 29 апреля 2022 г.
Принята к печати: 12 мая 2022 г.
Выставление онлайн: 21 июня 2022 г.

Посвящена исследованию туннельных джозефсоновских переходов сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник (СИС) с новым типом шунтирования, основанном на использовании дополнительного перехода сверхпроводник-изолятор-нормальный металл (СИН), расположенного вокруг СИС-перехода. В ходе исследования были проведены численные расчеты параметров таких шунтированных переходов и выполнено моделирование их вольтамперных характеристик (ВАХ). Спроектированные образцы были изготовлены, проведены исследования их параметров; измерены ВАХи переходов с различной степенью шунтирования, исследовано поведение переходов под воздействием высокочастотных сигналов в суб-ТHz-диапазоне. Ключевые слова: cверхпроводниковые устройства, туннельный переход сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник, эффект Джозефсона, шунтирование джозефсоновского перехода.
  1. К.К. Лихарев. Введение в динамику джозефсоновских переходов. Наука, М. (1985). 320 с
  2. S.K. Tolpygo, V. Bolkhovsky, S. Zarr, T.J. Weir, A. Wynn, A.L. Day, L.M. Johnson, M.A. Goukerю. IEEE Transact. Appl. Supercond. 27, 4, 1 (2017)
  3. Tiantian Liang, Guofeng Zhang, Wentao Wu, Yongliang Wang, Lu Zhang, Hua Jin, Xue Zhang, Liliang Ying, Bo Gao. IEEE Transact. Appl. Supercond. 30, 7, 1 (2020)
  4. C.B. Whan, C.J. Lobb. J. Appl. Phys. 77, 1, 382 (1995)
  5. M.S. Shevchenko, A.A. Atepalikhin, F.V. Khan, L.V. Filippenko, A.M. Chekushkin, V.P. Koshelets. IEEE Transact. Appl. Supercond. 32, 4, 1 (2021)
  6. T. Van Duzer, L. Zheng, X. Meng, C. Loyo, S.R. Whiteley, L. Yu, N. Newman, J.M. Rowel, N. Yoshikawa. Physica C 372, 1 (2002)
  7. Lei Yu, Raghuram Gandikota, Rakesh K. Singh, Lin Gu, David J. Smith, Xiaofan Meng, Xianghui Zeng. Supercond. Sci. Technol. 19, 8, 719 (2006)
  8. D.E. McCumber. J. Appl. Phys. 39, 3113 (1968)
  9. D. Chouvaev. Normal metal hot-electron microbolometer with super-conducting Andreev mirrors. Chalmers University of Technology (2001)
  10. P.N. Dmitriev, L.V. Filippenko, V.P. Koshelets. Josephson Junctions. Jenny Stanford Publishing (2017). P. 185--244
  11. D.R. Gulevich, V.P. Koshelets, F.V. Kusmartsev. Phys. Rev. B 96, 2, 024515 (2017)
  12. K.K. Likharev. Rev. Mod. Phys. 51, 1, 101 (1979)
  13. А.А. Голубов, М.Ю. Куприянов. ЖЭТФ 96, 1420 (1989)
  14. A.A. Golubov, E.P. Houwman, J.G. Gijsbertsen, V.M. Krasnov, J. Flokstra, H. Rogalla, M.Y. Kupriyanov. Phys. Rev. B, 51, 2, 1073 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.