Вышедшие номера
Sheet Resistance and Magnetoresistance in Polycrystalline CVD Graphenes
Fedotov А.K.1, Kharchanka A.A.1, Gumiennik U.E.2,3, Fedotova J.A.1, Ronassi Ali Arash4, Fedotov A.S. 5,6, Prischepa S.L. 7,8, Chichkov M.V. 9, Malinkovich M.D. 9
1Institute for Nuclear Problems of Belarusian State University, Belarus
2Научно-исследовательское учреждение "Институт ядерных проблем" Белорусского государственного университета, Минск, Беларусь
3AGH Научно-технический университет, Краков, Польша
4Payaame Noor University in Borujerd, Iran
5Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
6Тюменский государственный университет, Тюмень, Россия
7Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
8Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
9National University of Science and Technology MISiS, Russia
Email: akf1942@gmail.com, Julia@hep.by, fedotov.alehandro@gmail.com, prischepa@bsuir.by
Поступила в редакцию: 26 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 29 апреля 2022 г.

Temperature and magnetic field dependencies of sheet resistance R#(T,B) in polycrystalline CVD graphene, investigated in the range of 2≤ T≤ 300 K and magnetic fields 0≤ B≤ 8 T, allowed to determine carrier transport mechanisms in single-layered and twisted CVD graphene. It is shown that for R#(T,B) curves for such samples are described by the interference quantum corrections to the Drude conductivity independently on type of precursor and peculiarities of graphene transfer from Cu foil onto the various substrates (glass or SiO2). The twisted CVD graphene samples have demonstrated additional contribution of 2D hopping conductivity into the R#(T,B) dependencies. Keywords: graphene, single layer, twisted layers, CVD, carrier transport, magnetoresistance.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.