Представлены результаты исследования влияния режимов модификации фокусированными ионными пучками локальных участков подложки Si на закономерности последующего роста слоев GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что отжиг в отсутствие потока мышьяка образцов, подверженных воздействию ионного облучения при различных ускоряющих напряжениях и различном числе проходов ионного пучка, приводит к увеличению глубины модифицированных участков подложки Si. В то же время кристаллизация галлиевых скоплений при отжиге в потоке мышьяка приводит к заполнению углублений, сформированных в ходе ионной бомбардировки. Установлено, что рост GaAs на подложках с участками, модифицированными при ускоряющем напряжении 30 kV и подверженными последующему отжигу в потоке мышьяка при температуре 600^oC сопровождается формированием нитевидных нанокристаллов, плотность которых возрастает на участках с большим числом проходов ионного пучка. Результаты проведенных исследований могут быть использованы при разработке технологических подходов к формированию эпитаксиальных слоев GaAs на подложках Si. Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, GaAs, Si, фокусированные ионные пучки, монолитная интеграция.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.