Вышедшие номера
Влияние сильного статического электрического поля и нагрева на характеристики высокочастотного импеданса структур металл--сегнетоэлектрик--полупроводник
Russian Foundation for Basic Research, mk, 19-29-03042
Минобрнауки России, государственное задание, АААА-А19-119032890027-0
Белорусов Д.А. 1, Гольдман Е.И. 1, Чучева Г.В. 1
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Поступила в редакцию: 31 января 2022 г.
В окончательной редакции: 1 февраля 2022 г.
Принята к печати: 2 февраля 2022 г.
Выставление онлайн: 21 февраля 2022 г.

Проведены исследования влияния нагрева и сильных полевых, но допробойных, воздействий на высокочастотные характеристики импеданса гетероэпитаксиальных структур Ni-Ba0.8Sr0.2TiO_3-pSi с толщиной сегнетоэлектрика 50 nm. Показано, что независимо от полярности полевого стресса, характеристики сдвигались в сторону положительного смещения, и ширина петель гистерезиса уменьшалась; уровни плато практически оставались неизменными. Нагрев до 121oC приводил к изменению уровней верхнего плато характеристик: для емкости он снижался, а для проводимости - поднимался; ветви на петле не просто сужались и сдвигались, а менялись местами по сравнению с исходной зависимостью (реверс петли). Данные результаты могут быть объяснены: при полевом воздействии - генерацией дополнительных электронных состояний, локализованных в буферном слое на границе раздела кремний - Ba1-xSrxTiO3, а при нагреве - возникновением эффектов запаздывания вследствие развития флуктуационных процессов, лежащих в основе размытия фазового перехода из сегнетоэлектрического в параэлектрическое состояние. Ключевые слова: высокочастотные полевые характеристики импеданса, полевой стресс, петли гистерезиса, генерация дополнительных локализованных электронных состояний, эффекты запаздывания, флуктуационные процессы, размытый фазовый переход.