Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Локализация носителей заряда в квантовых ямах InGaN/GaN, ограниченная объемным зарядом

DOI: 10.21883/FTT.2022.03.52099.241

Переводная версия: 10.21883/PSS.2022.03.53193.241

Бочкарева Н.И.¹, Шретер Ю.Г.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: n.bochkareva@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 12 ноября 2021 г.

В окончательной редакции: 12 ноября 2021 г.

Принята к печати: 13 ноября 2021 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Механизм туннелирования носителей заряда через потенциальные стенки квантовой ямы InGaN/GaN в p-n-структурах исследуется методом туннельной спектроскопии глубоких центров. На зависимостях от прямого смещения интенсивности и спектрального сдвига полосы фотолюминесценции из квантовой ямы обнаруживается ряд горбов при тех же смещениях, что и ряд горбов на зависимостях прямого туннельного тока и фототока, генерируемого оптически инжектированными носителями, туннелирующими из квантовой ямы в барьеры. Эти туннельные эффекты находят объяснение в рамках модели локализации носителей в квантовой яме, связывающей туннельную проницаемость потенциальных стенок квантовой ямы с плотностью объемного заряда глубоких центров окраски в барьерах ямы и ее изменением при оптическом возбуждении и прямом смещении p-n-структуры. Ключевые слова: нитрид галлия, квантовая яма, фотолюминесценция, туннельная спектроскопия глубоких центров, примесные центры окраски.

S. Nakamura, G. Fasol. The Blue Laser Diode: GaN Based Light Emitters and Lasers. Springer, Berlin, N. Y. (1998). 343 p
D. Feezell, S. Nakamura. C.R. Phys. 19, 3, 113 (2018)
C.H. Qiu, C. Hoggatt, W. Melton, M.W. Leksono, J.I. Pankove. Appl. Phys. Lett. 66, 20, 2712 (1995)
P. Perlin, M. Osinski, P.G. Eliseev, V.A. Smagley, J. Mu, M. Banas, P. Sartori. Appl. Phys. Lett. 69, 12, 1680 (1996)
J.R. Lang, N.G. Young, R.M. Farrell, Y.R. Wu, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett. 101, 181105 (2012)
H. Zhang, E.J. Miller, E.T. Yu. J. Appl. Phys. 99, 023703 (2006)
Л. Эсаки. В сб.: Туннельные явления в твердых телах / Под ред. В.И. Переля. Мир, М. (1973). С. 51. [Tunneling phenomena in solids / Ed. E. Burstain, S. Lundqvist. Plenium Press, N. Y. (1969)]
N. Holonyak. J. Appl. Phys. 32, 1, 130 (1961)
A.G. Chynoweth, W.L. Feldmann, R.A. Logan. Phys. Rev. 121, 3, 684 (1961)
А.А. Клочихин, С.А. Пермогоров, А.Н. Резницкий. ФТТ 39, 7, 1170 (1997)
S.F. Chichibu, Y. Kawakami, T. Sota. In: Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes / Ed. S. Naramura, S.F. Chichibu. Taylor \& Francis, London--N. Y. (2000). 372 p
R.J. Molnar, T. Lei, T.D. Moustakas. Appl. Phys. Lett. 62, 1, 72 (1993)
N.I. Bochkareva, A.M. Ivanov, A.V. Klochkov, Y.G. Shreter. J. Phys.: Conf. Ser. 1697, 012203 (2020)
M.A. Reshchikov, H.J. Morkoc. Appl. Phys. 97, 061301 (2005)
Y.T. Rebane, N.I. Bochkareva, V.E. Bougrov, D.V. Tarkhin, Y.G. Shreter, E.A. Girnov, S.I. Stepanov, W.N. Wang, P.T. Chang, P.J. Wang. Proc. SPIE 4996, 113 (2003)
Л.В. Келдыш. ЖЭТФ 33, 4, 994 (1957); 34, 4, 962 (1958)
S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, T. Mukai. Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 34, L1332 (1995)
N.G. Young, R.M. Farrell, Y.L. Hu, Y. Terao, M. Iza, S. Keller, S.P. DenBaars, S. Nakamura, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett. 103, 173903 (2013)
N. Holonyak, Jr., D.L. Keune, R.D. Burnham, C.B. Duke. Phys. Rev. Lett. 24, 11, 589 (1970)
N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic processes in Non-Crystalline Materials. Clarendon Press, Oxford (1979)
D. Monroe. Phys. Rev. Lett. 54, 2, 146 (1985)
S.F. Chichibu, A. Uedono, K. Kojima, H. Ikeda, K. Fujito, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, S. Ishibashi. J. Appl. Phys. 123, 161413 (2018)
Н.И. Бочкарева, И.А. Шеремет, Ю.Г. Шретер. ФТП 50, 10, 1387 (2016)
D.M. Hofmann, D. Kovalev, G. Steude, B.K. Meyer, A. Hoffmann, L. Esckey, R. Heitz, T. Detchprom, H. Amano, I. Akasaki. Phys. Rev. B 52, 16702 (1995)
M.A. Reshchikov, D.O. Demchenko, J.D. McNamara, S. Fernandes-Carrido, R. Calargo. Phys. Rev. B 90, 035207 (2014)
E. Gaubas, P. Baronas, T. vCeponis, L. Deveikis, D. Dobrovolskas, E. Kuokstis, J. Mickevivcius, V. Rumbauskas, M. Bockowski, M. Iwinska, T. Sochacki. Mater. Sci. Semicon. Proc. 91, 341 (2019)
G. Yu, G. Wang, H. Ishikawa, M. Umeno, T. Soga, T. Egawa, J. Watanabe, T. Jimbo. Appl. Phys. Lett. 70, 24, 3209 (1997)
Е.Г. Максимов, О.А. Панкратов. УФН 116, 3, 385 (1975)
D.L. Gricom. J. Appl. Phys. 58, 7, 2524 (1985)
M.A. Reshchikov, R.Y. Korotkov. Phys. Rev. B 64, 115205 (2001).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель