Издателям
Вышедшие номера
Изменение микротвердости немагнитных кристаллов после их экспозиции в магнитном поле Земли и переменном поле накачки в схеме ЭПР
Альшиц В.И.1, Даринская Е.В.1, Колдаева М.В.1, Петржик Е.А.1
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук, Москва, Россия
Email: alshits@ns.crys.ras.ru
Поступила в редакцию: 13 июля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 января 2012 г.

Обнаружены изменения микротвердости кристаллов ZnO, триглицинсульфата (TGS) и гидрофталата калия (KAP) после их выдержки (30 min) в скрещенных супернизких магнитных полях: поле Земли BEarth~50 muT и ортогональном к нему переменном поле B~3 muT. В кристаллах ZnO микротвердость возрастает, а в TGS и KAP --- убывает. Максимальное изменение (10-15%) достигается через 1-3 h после магнитной обработки, а затем наблюдается постепенный возврат микротвердости к исходному значению в течение первых суток. После достаточной паузы эффект полностью воспроизводится в тех же условиях. Резонансная частота поля накачки B отвечает условию ЭПР с g-фактором, близким к двум. Магнитная память обладает сильной анизотропией: для каждого из кристаллов найдено направление, при совпадении которого с вектором магнитного поля Земли BEarth эффект полностью или частично подавляется. В кристаллах ZnO и TGS --- это оси симметрии 6 и 2 соответственно. А в кристалле KAP --- это направление в плоскости спайности, ортогональное оси 2. Обсуждаются возможные физические механизмы наблюдаемых явлений. Работа поддержана фондом РФФИ (грант N 10-02-01099-a).
  • Г.И. Дистлер, В.М. Каневский, В.В. Москвин, С.Н. Постников, Л.А. Рябинин, В.П. Сидоров, Г.Д. Шнырев. ДАН СССР 268, 591 (1983)
  • В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, Т.М. Перекалина, А.А. Урусовская. ФТТ 29, 467 (1987)
  • А.Е. Смирнов, А.А. Урусовская. ФТТ 29, 852 (1987)
  • Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов. Письма в ЖЭТФ 58,189 (1993)
  • В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, М.В. Колдаева, Е.А. Петржик. Кристаллография 48, 826 (2003)
  • А.А. Урусовская, В.И. Альшиц, А.Е. Смирнов, Н.Н. Беккауер. Кристаллография 48, 855 (2003)
  • Ю.И. Головин. ФТТ 46, 769 (2004)
  • Р.Б. Моргунов. УФН 174, 131 (2004)
  • V.I. Alshits, E.V. Darinskaya, M.V. Koldaeva, E.A. Petrzhik. Magnetoplastic effect in nonmagnetic crystals. In: Dislocations in Solids, V. 14 / Ed. J. P. Hirth. Elsevier, Amsterdam. (2008). P. 333
  • Я.Б. Зельдович, А.Л. Бучаченко, Е.Л. Франкевич. УФН 155, 3 (1988)
  • А.Л. Бучаченко. Успехи химии 68, 99 (1999)
  • V.I. Belyavsky, M.N. Levin. Phys. Rev. B 70, 104 101 (2004)
  • Р.Б. Моргунов, А.Л. Бучаченко. ЖЭТФ 136, 505 (2009)
  • R.B. Morgunov, A.L. Buchachenko. Phys. Rev. 82, 014 115 (2010)
  • Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, В.Е. Иванов, С.Е. Жуликов, А.А. Дмитриевский. Письма в ЖЭТФ 68, 400 (1998)
  • Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, В.Е. Иванов, А.А. Дмитриевский. ЖЭТФ 117, 1080 (2000)
  • Ю.А. Осипьян, Р.Б. Моргунов, А.А. Баскаков, А.М. Орлов, А.А. Скворцов, Е.Н. Инкина, Й. Танимото. Письма в ЖЭТФ 79, 158 (2004)
  • M.V. Badylevich, V.V. Kveder, V.I. Orlov, Yu.A. Osip'yan. Phys. Status. Solidi C 2, 1869 (2005)
  • В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, В.А. Морозов, В.М. Кац, А.А. Лукин. Письма в ЖЭТФ 91, 97 (2010)
  • В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, В.А. Морозов, В.М. Кац, А.А. Лукин. ФТТ 53, 2010 (2011)
  • Е.А. Петржик, Е.В. Даринская, Л.Н. Демьянец. ФТТ 50, 614 (2008)
  • М.В. Колдаева, Т.Н. Турская, Е.В. Даринская. Кристаллография 50, 312 (2005)
  • М.В. Колдаева, Т.Н. Турская, Р.М. Закалюкин, Е.В. Даринская. Кристаллография 54, 1009 (2009)
  • М.Н. Левин, В.В. Постников, М.Ю. Палагин. Письма в ЖТФ 29, 12, 62 (2003)
  • Ю.А. Осипьян, Ю.И. Головин, Д.В. Лопатин, Р.Б. Моргунов, Р.К. Николаев, С.З. Шмурак. Письма в ЖЭТФ 69, 110 (1999)
  • И.П. Кузьмина, В.А. Никитенко. Оксид цинка. Получение и оптические свойства. Наука, М. (1984). 166 с
  • Т.М. Охрименко, А.Ю. Климова, Г.С. Беликова, А.П. Володин, Е.И. Суворова. Тез. докл. VII Всерос. конф. по росту кристаллов. Изд-во АН АрмССР, Ереван. (1985). С. 70
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.