Вышедшие номера
Полупроводниковые свойства полимерных пленок на основе комплекса никеля с лигандом саленового типа
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 18-03-00864
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 19-29-08026
Положенцева Ю.А. 1, Алексеева Е.В. 2, Карушев М.П. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: miracle_r@mail.ru, alekseeva_ev@yahoo.com, mkarushev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 9 сентября 2021 г.
Принята к печати: 9 сентября 2021 г.
Выставление онлайн: 22 октября 2021 г.

Комплексы металлов с основаниями Шиффа рассматриваются как перспективные материалы для создания энергозапасающих и фотоэлектрических устройств. В данной работе спектрофотометрическим методом и методом спектроскопии фарадеевского импеданса были изучены полупроводниковые свойства полимерной пленки комплекса никеля с основанием Шиффа саленового типа (поли-Ni(CH3O-Salen)). Анализ Мотта-Шоттки показал, что полимерная пленка представляет собой полупроводниковый материал с достаточно узкой шириной запрещенной зоны, высокой плотностью носителей заряда и p-типом проводимости. Методом спектроскопии фарадеевского импеданса установлена лимитирующая стадия реакции фотоэлектровосстановления кислорода - процесс переноса заряда с пленки на молекулярный кислород. Ключевые слова: основания Шиффа, анализ Мотта-Шоттки, фотоэлектрические устройства, полупроводниковые свойства.
  1. W. Cao, J. Xue. Energy Environ. Sci. 7, 7, 2123 (2014)
  2. G. Li, R. Zhu, Y. Yang. Nature Photonics 6, 3, 153 (2012)
  3. З.И. Жураева. Universum: Техн. науки 10, 55, 7 (2018)
  4. M. Skompska. Synth. Met. 160, 1-2, 1 (2010)
  5. G. Yu, A.J. Heeger. J. Appl. Phys. 78, 7, 4510 (1995)
  6. C. Nicolet, D. Deribew, C. Renaud, G. Fleury, C. Brochon, E. Cloutet, L. Vignau, G. Wantz, H. Cramail, M. Geoghegan, G. Hadziioannou. J. Phys. Chem. B 115, 44, 12717 (2011)
  7. P.A. Troshin, R.N. Lyubovskaya, V.F. Razumov. Nanotech. Russ. 3, 5-6, 242 (2008)
  8. Е.А. Смирнова, М.А. Беседина, М.П. Карушев, В.В. Васильев, А.М. Тимонов. ЖФХ 90, 5, 808 (2016)
  9. Т.В. Семенистая, А.В. Щукарев, Г.А. Шагисултанова. ЖПХ 76, 2, 225 (2003)
  10. Т.В. Семенистая, Г.А. Шагисултанова. ЖНХ 48, 4, 602 (2003)
  11. A.S. Konev, M.Y. Kayumov, M.P. Karushev, Y.V. Novoselova, D.A. Lukyanov, E.V. Alekseeva, O.V. Levin. ChemElectroChem 5, 21, 3138 (2018)
  12. P. Pfeiffer, E. Breith, E. Lubbe, T. Tsumaki. Justus Liebig's Ann. Der Chemie 503, 1, 84 (1933)
  13. V.D. Mihailetchi, H.X. Xie, B. de Boer, L.J.A. Koster, P.W.M. Blom. Adv. Funct. Mater. 16, 5, 699 (2006)
  14. A. Iwan, F. Caballero-Briones, M. Filapek, B. Boharewicz, I. Tazbir, A. Hreniak, J. Guerrero-Contreras. Solar Energy 146, 230 (2017)
  15. O. Semenikhin, E. Ovsyannikova, M. Ehrenburg, N. Alpatova, V. Kazarinov. J. Electroanal. Chem. 494, 1, 1 (2000)
  16. C.F. Pereira, A. Olean-Oliveira, D.N. David-Parra, M.F.S. Teixeira. Talanta 190, 119 (2018)
  17. M.S.A. Abdou, F.P. Orfino, Y. Son, S. Holdcroft. J. Am. Chem. Soc. 119, 19, 4518 (1997)
  18. S. Hoshino, M. Yoshida, S. Uemura, T. Kodzasa, N. Takada, T. Kamata, K. Yase. J. Appl. Phys. 95, 9, 5088 (2004)
  19. O.A. Semenikhin, E.V. Ovsyannikova, N.M. Alpatova, Z.A. Rotenberg. J. Electroanal. Chem. 408, 1-2, 67 (1996)
  20. O.A. Semenikhin, M.M.D. Hossain, M.S. Workentin. J. Phys. Chem. B 110, 41, 20189 (2006)
  21. В.Т. Аванесян, М.Ю. Пучков. ФТТ 49, 11, 2088 (2007)
  22. V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, N.G. Kolin. Phys. B Condens. Matter 348, 1-4, 213 (2004)
  23. G.M. Carroll, A.M. Schimpf, E.Y. Tsui, D.R. Gamelin. J. Am. Chem. Soc. 137, 34, 11163 (2015)
  24. H.Y. Mao, F. Bussolotti, D.-C. Qi, R. Wang, S. Kera, N. Ueno, A.T.S. Wee, W. Chen. Org. Electron. 12, 3, 534 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.