Вышедшие номера
Корреляция электрических, гальваномагнитных и магнитных характеристик нанокристаллических пленок железа, полученных методом ионно-ассистированного осаждения
Головчук В.И.1, Бумай Ю.А.2, Лукашевич М.Г.1, Лядов Н.М.3, Файзрахманов И.А.3, Хайбуллин Р.И.3
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2Белорусский национальный технический университет, Минск, Беларусь
3Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия
Email: Golovchuk@bsu.by
Поступила в редакцию: 6 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 6 июля 2021 г.
Принята к печати: 7 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 14 сентября 2021 г.

Представлены результаты измерений температурной зависимости сопротивления, поперечного и продольного магнитосопротивления (МС) в нанокристаллических пленках железа в температурном интервале 2-300 K и развертке магнитного поля до 8 T. Тонкие пленки нанокристаллической α-фазы железа толщиной 80 nm были получены методом ионно-стимулированного осаждения на кремневую подложку. Помимо анизотропии формы, полученные пленки проявляли перпендикулярную магнитную анизотропию (ПМА), которая исчезала после отжига пленок при температуре 450oC в условиях вакуума. Экспериментально показано влияние ПМА на знак, величину и магнитополевую зависимость магниторезистивного эффекта, регистрируемого при различной ориентации внешнего магнитного поля по отношению к плоскости пленки и направлению протекания тока. Полученные результаты обсуждаются в рамках современных представлений о процессах переноса заряда без магнитного и в магнитном поле в слабо разупорядоченных ферромагнитных пленках с различной магнитной анизотропией и доменной структурой при наложении слабого (меньше поля насыщения намагниченности) или сильного (выше поля насыщения) внешнего магнитного поля. Ключевые слова: нанокристаллические пленки железа, перпендикулярная магнитная анизотропия, магниторезистивный эффект, анизотропное магнитосопротивление, магнонное магнитосопротивление, перколяция, слабая локализация.