Вышедшие номера
Регистрация зависимости числа эмиссионных центров от времени как инструмент анализа токовых флуктуаций полевых катодов
Колосько А.Г.1, Филиппов С.В.1, Попов Е.О.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: agkolosko@mail.ru, f_s_v@list.ru, e.popov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 8 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 июня 2021 г.
Принята к печати: 20 июня 2021 г.
Выставление онлайн: 10 августа 2021 г.

Представлен новый инструмент получения частотных характеристик взаимодействия эмиссионных центров с адсорбатами. Методика основана на использовании компьютеризированного полевого проектора с обработкой картин распределения эмиссионных центров по поверхности катода в режиме онлайн. Получаемые зависимости отражают частоту флуктуаций активности отдельных центров. Рассмотрено влияние на форму этих кривых выбора параметра пороговой яркости, близости расположения центров друг к другу, стабильности общего эмиссионного тока. Проанализировано совпадение форм кривых, построенными различными способами (в онлайн-режиме, в режиме постобработки и в режиме моделирования случайных процессов). Ключевые слова: полевая эмиссия, флуктуации эмиссионного тока, углеродные нанотрубки, регистрация эмиссионных центров, адсорбционные процессы на поверхности.
  1. A.V. Eletskii. Phys.-Usp. 53, 9, 863 (2010)
  2. A. Pandey, A. Prasad, J.P. Moscatello, M. Engelhard, C. Wang, Y.K. Yap. ACS Nano 7, 1, 117 (2013)
  3. O. Mohsen, A. Lueangaramwong, S. Valluri, R. Divan, V. Korampally, A. Sumant, P. Piot. 10th Int. Particle Accelerator Conf. (IPAC'19), Melbourne, Australia, 2117 (2019)
  4. K.U. Laszczyk, M. Krysztof, J.A. Dziuban, A. Gorecka-Drzazga. 31st Int. Vacuum Nanoelectron. Conf. (IVNC) IEEE, 1 (2018)
  5. M.M. Kopelvski, E. Galeazzo, H.E. Peres, F.J. Ramirez-Fernandez, D.A. Silva, M.O. Dantas. Measurement 93, 208 (2016)
  6. L. Nilsson, O. Groening, P. Groening, O. Kuettel, L. Schlapbach. J. Appl. Phys. 90, 2, 768 (2001)
  7. J.D. Jarvis, H.L. Andrews, C.A. Brau, B.K. Choi, J. Davidson, W.-P. Kang, C.L. Stewart, Y.-M. Wong. Proceed. FEL2009, 372, Liverpool, UK (2009). https://accelconf.web.cern.ch/FEL2009/papers/tupc59.pdf
  8. Y. Saito, K. Hata, A. Takakura, J. Yotani, S. Uemura. Physica B 323, 1-4, 30 (2002)
  9. C. Li, G. Fang, X. Yang, N. Liu, Y. Liu, X. Zhao. J. Phys. D 41, 195401 (2008)
  10. J. Chen, J. Li, J. Yang, X. Yan, B.K. Tay, Q. Xue. Appl. Phys. Lett. 99, 17, 173104 (2011)
  11. Y. Gotoh, W. Ohue, H. Tsuji. J. Appl. Phys. 121, 23, 234503 (2017)
  12. K.A. Dean, B.R. Chalamala. Appl. Phys. Lett. 76, 3, 375 (2000)
  13. R. Bhattacharya, N. Karaulac, W. Chern, A.I. Akinwande, J. Browning. J. Vac. Sci. Technol. B 39, 2, 023201 (2021)
  14. V.B. Bondarenko, S.N. Davydov, P.G. Gabdullin, N.M. Gnuchev, A.V. Maslevtsov, A.A. Arkhipov. St. Petersburg Polytechnical University J.: Phys. Math. 2, 4, 306 (2016)
  15. S. Kolekar, S.P. Patole, S. Patil, J.B. Yoo, C.V. Dharmadhikari. Surf. Sci. 664, 76 (2017)
  16. L.N. Win, E.P. Sheshin, N.C. Kyaw, Z.Y. Lwin, W.Z. Hlaing. Adv. Mater. Technol. 4, 31 (2018)
  17. S.S. Baturin, S.V. Baryshev. Rev. Sci. Instruments 88, 3, 033701 (2017)
  18. P. Zhang, J. Park, S.B. Fairchild, N.P. Lockwood, Y.Y. Lau, J. Ferguson, T. Back. Appl. Sci. 8, 7, 1175 (2018)
  19. Y. Li, Y. Sun, D.A. Jaffray, J.T. Yeow. Nanotechnol. 28, 15, 155704 (2017)
  20. W. Liu, F. Zeng, L. Xin, C. Zhu, Y. He. J. Vacuum Sci. Technol. B 26, 1, 32 (2008)
  21. M. Kawasaki, Z. He, Y. Gotoh, H. Tsuji, J. Ishikawa. J. Vac. Sci. Technol. B 28, 2, C2A77 (2010)
  22. J.M. Bonard, J.P. Salvetat, T. Stockli, L. Forro, A. Chatelain. Appl. Phys. A 69, 3, 245 (1999)
  23. E.O. Popov, A.G. Kolosko, S.V. Filippov, E.I. Terukov. J. Vac. Sci. Technol. B 36, 2, 02C106 (2018)
  24. A.G. Kolosko, E.O. Popov, S.V. Filippov. Tech. Phys. Lett. 45, 3, 304 (2019)
  25. A.G. Kolosko, S.V. Filippov, E.O. Popov, S.A. Ponyaev, A.V. Shchegolkov. J. Vac. Sci. Technol. B 38, 6, 062806 (2020)
  26. A.G. Kolosko, V.S. Chernova, S.V. Filippov, E.O. Popov. Adv. Mater. Technol. 3, 18 (2020).
  27. D. Lysenkov, H. Abbas, G. Muller, J. Engstler, K.P. Budna, J.J. Schneider. J. Vac. Sci. Technol. B 23, 2, 809 (2005)
  28. К.Н. Никольский, А.С. Батурин, А.И. Князев, Р.Г. Чесов, Е.П. Шешин. ЖТФ 74, 2, 110 (2004)
  29. J.H. Deng, Y.M. Yang, R.T. Zheng, G.A. Cheng. Appl. Surf. Sci. 258, 18, 7094 (2012)
  30. J. Li, X. Yan, G. Gou, Z. Wang. J. Chen. Phys. Chem. Chem. Phys. 16, 5, 1850 (2014)
  31. V.S. Bormashov, A.S. Baturin, K.N. Nikolskiy, R.G. Tchesov, E.P. Sheshin. Nucl.Instrum. Meth. Phys. Res. A 558, 1, 256 (2006)
  32. A.A. Kuznetzov, S.B. Lee, M. Zhang, R.H. Baughman, A.A. Zakhidov. Carbon 48, 1, 41 (2010)
  33. C. Barone, S. Pagano, H.C. Neitzert. Appl. Phys. Lett. 97, 15, 152107 (2010)
  34. A.G. Kolosko, E.O. Popov, S.V. Filippov. Tech. Phys. Lett. 40, 5, 438 (2014).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.