Эвтектический сплав галлия и олова является перспективным материалом для использования в современной микроэлектронике, медицинской диагностике и гибкой робототехнике. В связи с новыми применениями сплава Ga-In, значительный интерес вызывают исследования влияния понижения размеров на свойства этого сплава. В настоящей работе приводятся результаты исследования методом ЯМР атомной подвижности в сегрегированной кристаллической фазе наноструктурированного сплава Ga-In, обогащенной галлием. Сплав с концентрацией 94 at.% Ga и 6 at.% In был введен в поры опаловой матрицы. Показано, что обогащенная галлием фаза имела структуру β-Ga. Проведены измерения температурной зависимости скорости ядерной спин-решеточной релаксации галлия. Разделены вклады магнитного дипольного и электрического квадрупольного механизмов релаксации. Рассчитано изменение с температурой времени корреляции атомного движения и оценена энергия активации. Ключевые слова: Ga-In сплав, наноконфайнмент в опале,  сегрегированная фаза со структурой β-Ga, ЯМР, спин-решеточная релаксация галлия, атомная подвижность.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.