Вышедшие номера
Моделирование критического состояния слоистых сверхпроводящих структур с неоднородными слоями
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Государственное задание (тема ”Физика высокотемпературных сверхпроводников и новых квантовых материалов“), No 0023-2019-0005
Безотосный П.И. 1, Дмитриева К.А. 1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: bezpi@lebedev.ru
Поступила в редакцию: 26 мая 2021 г.
В окончательной редакции: 26 мая 2021 г.
Принята к печати: 3 июня 2021 г.
Выставление онлайн: 9 июля 2021 г.

Предложен подход к расчету критического состояния слоистых структур, состоящих из неоднородных сверхпроводящих слоев. Метод основан на численном решении одномерных уравнений Гинзбурга-Ландау, обобщенных для неоднородной пластины. Метод позволяет получить зависимости критического тока от магнитного поля, а также распределение тока и магнитного поля по слоям. Проведено сравнение усредненного критического тока слоистых структур, состоящих как из неоднородных, так и из однородных слоев. Получено, что при относительно небольшом количестве слоев и малой величине внешнего магнитного поля критический ток слоистых структур с однородными слоями может превосходить критический ток структур с неоднородными слоями. С увеличением количества слоев и/или величины внешнего магнитного поля критический ток слоистых структур с неоднородными слоями начинает, наоборот, превышать критический ток структур с однородными слоями. Сила пиннинга в структурах с неоднородными слоями выше, чем в случае с однородными. Ключевые слова: сверхпроводящие слоистые структуры, сверхпроводящие пленки, критический ток, теория Гинзбурга-Ландау, неоднородность.
  1. D.Yu. Vodolazov, G. Berdiyorov, F.M. Peeters. Physica C 552, 64 (2018)
  2. D.Yu. Vodolazov, Yu.P. Korneeva, A.V. Semenov, A.A. Korneev, G.N. Goltsman. Phys. Rev. B 92, 10, 104503 (2015)
  3. Alden R. Pack, Jared Carlson, Spencer Wadsworth, Mark K. Transtrum. Phys. Rev. B 101, 14, 144504 (2020)
  4. Yu.P. Korneeva, D.Yu. Vodolazov, A.V. Semenov, I.N. Florya, N. Simonov, E. Baeva, A.A. Korneev, G.N. Goltsman, T.M. Klapwijk. Phys. Rev. Appl. 9, 6, 064037 (2018)
  5. A.N. Moroz, A.N. Maksimova, V.A. Kashurnikov, I.A. Rudnev. IEEE Transact. Appl. Supercond. 28, 4, 8000705 (2018)
  6. V.A. Kashurnikov, A.N. Maksimova, A.N. Moroz, I.A. Rudnev. Supercond. Sci. Technol. 31, 11, 115003 (2018)
  7. В.А. Кашурников, А.Н. Максимова, И.А. Руднев, Д.С. Одинцов. ФТТ 57, 9, 1685 (2015)
  8. K.S. Grishakov, P.N. Degtyarenko, N.N. Degtyarenko, V.F. Elesin, V.S. Kruglov. Russ.Phys. J. 52, 11 (2009)
  9. K.S. Grishakov, P.N. Degtyarenko, N.N. Degtyarenko, V.F. Elesin, V.S. Kruglov. Phys. Proc. 36 (2012)
  10. П.И. Безотосный, С.Ю. Гаврилкин, А.Н. Лыков, А.Ю. Цветков. Кр. сообщения по физике ФИАН 6, 3 (2014)
  11. П.И. Безотосный, С.Ю. Гаврилкин, А.Н. Лыков, А.Ю. Цветков. Кр. сообщения по физике ФИАН 12, 26 (2014)
  12. П.И. Безотосный, С.Ю. Гаврилкин, А.Н. Лыков, А.Ю. Цветков. ФТТ 57, 7, 1277 (2015)
  13. П.И. Безотосный, С.Ю. Гаврилкин, К.А. Дмитриева, А.Н. Лыков, А.Ю. Цветков. ФТТ 61, 2, 234 (2019)
  14. П.И. Безотосный, С.Ю. Гаврилкин, К.А. Дмитриева, А.Н. Лыков, А.Ю. Цветков. Кр. сообщения по физике ФИАН 2, 20 (2020)
  15. P.I. Bezotosnyi, K.A. Dmitrieva, S.Yu. Gavrilkin, A.N. Lykov, A.Yu. Tsvetkov. IEEE Transact. Appl. Supercond 31, 3, 7500107 (2021)
  16. П.И. Безотосный, К.А. Дмитриева. ФТТ 63, 8, 1035 (2021)
  17. С.Ю. Гаврилкин, А.Н. Лыков, А.Ю. Цветков, П.И. Безотосный. Кр. сообщения по физике ФИАН 2, 29 (2018)
  18. А.Н. Лыков, А.Ю. Цветков, Г.Ф. Жарков. ЖЭТФ 128, 392 (2005)
  19. A.N. Lykov, A.Yu. Tsvetkov. Phys. Rev. B 76, 14, 144517 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.