Вышедшие номера
Термоимпендансметрия нанокристаллитов V2O5, локализованных в каналах нанопористого стекла
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Конкурс на лучшие проекты фундаментальных научных исследований, 20-07-00730
Кастро Р.А. 1, Ильинский А.В.2, Пашкевич М.Э.3, Сидоров А.И.4, Шадрин Е.Б.2
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: recastro@mail.ru, ilinskiy@mail.ioffe.ru, marpash@yandex.ru, sidorov@oi.ifmo.ru, shadr.solid@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 18 апреля 2021 г.
Принята к печати: 26 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 6 июня 2021 г.

Методами импедансметрии реализована возможность измерения температурной зависимости электропроводности наночастиц на примере малоизученного пентоксида ванадия, синтезированного в наноканалах пористого стекла. Даны оценки ширины запрещенной зоны и величин удельной электропроводности наночастиц полупроводниковой фазы V2O5. На базе представлений о неподеленных электронных парах и о процессах переноса заряда обсуждаются причины сужения запрещенной зоны V2O5, локализованного в нанопорах стекла. Ключевые слова: пентоксид ванадия V2O5, нанопористые стекла, наноструктурированные материалы, импедансметрия.
  1. В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов. ФТП 43, 1585, a(2009)
  2. J. Maire, M. Nomura. Jpn. J. Appl. Phys. 53, 06JE09 (2014)
  3. K. Davami, J.-S. Lee, M. Meyyappan. Transact. Electr. Electr. Mater. 12, 227 (2011)
  4. C. Thelander, P. Agarwal, S. Brongersma, J. Eymery, L.F. Feiner, A. Forchel, M. Scheffler, W. Riess, B.J. Ohlsson. Mater. Today 9, 10, 28 (2006)
  5. В.Д. Лахно, А.В. Винников. Молекулярные устройства на основе ДНК. Нанобиоэлектроника. Препринты ИПМ им. М.В. Келдыша 137, 26 (2018)
  6. А.В. Ильинский, Р.А. Кастро, Е.И. Никулин, Е.Б. Шадрин. ЖТФ 88, 6, 877 (2018)
  7. А.В. Ильинский, Е.Б. Шадрин. ФТТ 62, 8, 1284, (2020)
  8. J.M. Gallardo-Amores, N. Biskup, U. Amador, K. Persson, G. Ceder, E. Mora'n, M.E. Arroyo de Dompablo. Chem. Mater. 19, 5262, (2007)
  9. R.A. Castro, A.V. Ilinskiy, M.E. Pashkevich, I.M. Smirnova, E.B. Shadrin. Phys. Complex Systems 2, 1, 15 (2021)
  10. J.C. Badot, A. Mantoux, N. Baffier, O. Dubrunfautc, D. Lincot. J. Mater. Chem. 14, 3411 (2004)
  11. T.F. Khoon, J. Hassan, Z.A. Wahab. Res. Phys. 6, 420 (2016)
  12. О.Я. Березина, А.А. Величко, Е.Л. Казакова, А.Л. Пергамент, Г.Б. Стефанович, Д.С. Яковлева. Конденсированные среды и межфазные границы 7, 2, 123 (2005)
  13. А.О. Вонти, А.В. Ильинский, В.М. Капралова, Е.Б. Шадрин. ЖТФ 88, 6, 934 (2018)
  14. A.V. Ilinskii, R.A. Castro, L.A. Nabiullina, M.E. Pashkevich, E.B. Shadrin. Appl. Mech. Mater. 835, 20 (2016)
  15. А.В. Ильинский, Р.А. Кастро, Л.А. Набиуллина, М.Э. Пашкевич, Е.Б. Шадрин. НТВ СПбГПУ. Физ.-мат. науки, 1, 182, 9 (2013)
  16. J.M. Gallardo-Amores, N. Biskup, U. Amador, K. Persson, G. Ceder, E. Mora'n, M.E. Arroyo de Dompablo. Chem. Mater. 19, 5262 (2007)
  17. V.N. Pak, S.V. Sukhanov. Rus. J. Appl. Chem. 76, 8, 1201 (2003)
  18. S. Biermann, F. Aryasetiawan. Electronic structure of strongly correlated materials: towards a first principles scheme. arXiv:cond-mat/0401653v1 [cond-mat.str-el] 30 Jan 2004
  19. G. Kotliar, D. Vollhardt. Phys. Today, 57, 3, 53 (2004)
  20. А.В. Ильинский, М.Э. Пашкевич, Е.Б. Шадрин. НТВ СПбГПУ. Физ.-мат. науки 10, 3, 9 (2017)
  21. А.В. Ильинский, О.Е. Квашенкина, Е.Б. Шадрин. ФТП 46, 4, 439 (2012)
  22. S. Pizzini. Defects in Nanocrystals. CRC Press. (2021). 294 p
  23. A.I. Sidorov, A.V. Nashchekin, R.A. Castro, I.N. Anfmova, T.V. Antropova. Physica B 603, 412764 (2021). doi.org/10.1016/j.physb.2020.412764
  24. M. Gatti, F. Bruneval, V. Olevano, L. Reining. Phys. Rev. Lett. 99, 266402 (2007).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.