Вышедшие номера
Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As
Российский научный фонд, 19-19-00545
Российский научный фонд, 18-72-10061
Звонков Б.Н.1, Вихрова О.В. 1, Данилов Ю.А. 1, Демина П.Б. 1, Дорохин М.В. 1, Дроздов М.Н.2, Здоровейщев Д.А.1, Калентьева И.Л. 1, Кузнецов Ю.М. 1, Кудрин А.В.3, Нежданов А.В. 3, Парафин А.Е. 2, Хомицкий Д.В. 3
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: zvonkov@nifti.unn.ru, vikhrova@nifti.unn.ru, yury.danilov@gmail.com, demina@phys.unn.ru, daniel.zdorov@gmail.com, istery@rambler.ru, yurakz94@list.ru, nezhdanov@phys.unn.ru, parafin@ipmras.ru, khomitsky@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 9 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 9 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 6 июня 2021 г.

Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm2) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик излучения структур. Кристаллическое совершенство исходных и облученных лазером образцов изучалось с использованием спектроскопии комбинационного рассеяния. Элементный состав структур и его распределение по глубине исследовались методом вторичной ионной масс-спектрометрии. Влияние импульсного лазерного отжига на ферромагнитные свойства гетеронаноструктур характеризовалось поведением магнитополевых зависимостей сопротивления Холла и магнетосопротивления при температурах 10-300 K в диапазоне магнитных полей ±3600 Oe. При комнатной температуре исследование проводилось в магнитных полях, достигающих значений ±28000 Oe. Для получения расчетных распределений температуры вдоль толщины образца и во времени с применением модели процесса лазерного отжига, основанной на решении задачи о распространении тепла в одномерной GaAs системе с учетом слоя (Ga,Mn)As на поверхности, были использованы оригинальные данные по коэффициенту теплопроводности структур со слоем (Ga, Mn)As, полученные посредством модифицированной методики частотного разделения (3ω-метода). Ключевые слова: МОС-гидридная эпитаксия, импульсное лазерное нанесение, гетеронаноструктура, разбавленный магнитный полупроводник, импульсный лазерный отжиг.
  1. О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, А.В. Здоровейщев, А.В. Кудрин, В.П. Лесников, А.В. Нежданов, С.А. Павлов, А.Е. Парафин, И.Ю. Пашенькин, С.М. Планкина. ФТТ 59, 11, 2130 (2017)
  2. W. HaiLong, C. Lin, Z. JianHua. Sci. China Phys. Mech. Astronomy 56, 1, 99 (2013)
  3. Sh.U. Yuldasheva, Z.A. Yunusova, Y.H. Kwonb, S.H. Leec, R. Ahujad, T.W. Kanga. Solid State Commun. 263, 38 (2017)
  4. Y. Jiang, Y.Ji, N. Li, J. Guo, Y. Yuan, W. Liang, H. Yang. AIP Advances 11, 025011 (2021)
  5. О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, И.Л. Калентьева, Ю.М. Кузнецов, А.В. Нежданов, А.Е. Парафин, Д.В. Хомицкий, И.Н. Антонов. ФТТ 63, 3, 346 (2021)
  6. R.T. Blunt. CS MANTECH Conference. (April 24-27, 2006). Vancouver, British Columbia, Canada. P. 59
  7. D.J. Kim, D.S. Kim, S. Cho, S.W. Kim, S.H. Lee, J.C. Kim. Int. J. Thermophys. 25, 281 (2004)
  8. W. Limmer, M. Glunk, S. Mascheck, A. Koeder, D. Klarer, W. Schoch, K. Thonke, R. Sauer, A. Waag. Phys. Rev. B 66, 205209 (2002)
  9. M.J. Seong, S.H. Chun, H.M. Cheong, N. Samarth, A. Mascarenhas. Phys. Rev. B 66, 033202 (2002)
  10. Э.Л. Нагаев. Физика магнитных полупроводников. Наука, М. (1979)
  11. L.H. Bennetta, E.D. Torre. J. App. Phys. 97, 10E502 (2005)
  12. К.Y. Wang, K.W. Edmonds, R.P. Campion, L.X. Zhao, C.T. Foxon, B.L. Gallagher. Phys. Rev. B 72, 085201 (2005)
  13. Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Кудрин, М.В. Сапожников. ФТТ 52, 11, 2124 (2010)
  14. J. Paitz. Kristall Tech. 7, 9, 999 (1972)
  15. З.Э. Кунькова, Е.А. Ганьшина, Л.Л. Голик, Ю.А. Данилов, А.В. Кудрин, В.И. Ковалев, Г.С. Зыков, Ю.В. Маркин, О.В. Вихрова, Б.Н. Звонков. ФТП 60, 5, 940 (2018)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.