Вышедшие номера
Диодные гетероструктуры с ферромагнитными узкозонными полупроводниками A3FeB5 разного типа проводимости
Российский научный фонд, 19-19-545
Российский научный фонд, 18-79-10088
Лесников В.П.1, Ведь М.В. 1, Вихрова О.В. 1, Данилов Ю.А.1, Звонков Б.Н.1, Здоровейщев А.В. 1, Калентьева И.Л. 1, Кудрин А.В.1, Крюков Р.Н. 1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: lesnikov@nifti.unn.ru, mikhail28ved@gmail.com, vikhrova@nifti.unn.ru, zvonkov@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 28 февраля 2021 г.
В окончательной редакции: 28 февраля 2021 г.
Принята к печати: 2 марта 2021 г.
Выставление онлайн: 11 апреля 2021 г.

Методом импульсного лазерного нанесения в вакууме изготовлены диодные структуры с ферромагнитными узкозонными полупроводниками A3FeB5 в качестве только p-области (p-GaFeSb/n-InGaAs), только n-области (n-InFeSb/p-InGaAs), p- и n-областей (p-GaFeSb/n-InFeSb, p-GaFeSb/n-InFeAs) p-n-перехода. Состав ферромагнитных полупроводниковых слоев и их толщины, определенные по результатам рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, в целом соответствуют технологическим данным для диодных структур. В частности толщина слоя GaFeSb составляет 25-30 nm, толщины слоев InFeAs и InFeSb - 35-40 nm. Содержание железа в InFeSb находится в пределах от 25 до 35 at.%. В слое GaFeSb содержится от 15 до 41 at.% железа, а в слое InFeAs регистрируется 35 at.% железа. При химическом анализе структур обнаружилось наличие химических связей Fe-As(Sb), In-Fe и Fe-Ga. Поэтому можно предположить, что в изготовленных структурах атомы Fe могут замещать элементы III и V групп одновременно. Все структуры демонстрируют эффект отрицательного магнетосопротивления при достаточно низких напряжениях наблюдения эффекта (до 50 mV), в небольших магнитных полях (до 3600 Oe) и при высокой температуре измерений. Для диодов GaFeSb/InFeSb, GaFeSb/InFeAs отрицательное магнетосопротивление впервые наблюдалось при комнатной температуре. Гистерезисный вид зависимостей сопротивления от магнитного поля позволяет предполагать воздействие ферромагнитных свойств слоев узкозонных полупроводников на транспорт носителей в структурах. Ключевые слова: импульсное лазерное нанесение, ферромагнитный полупроводник, диодные структуры, магнетосопротивление.