Вышедшие номера
Диэлектрические и сегнетоэлектрические свойства тонких гетероэпитаксиальных пленок SBN-50
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, государственное задание, 0718-2020-0031
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, государственное задание, 01201354247
Президент РФ, грант, МК-678.2020.2
Павленко А.В. 1,2, Киселев Д.А. 3, Матяш Я.Ю. 1
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Научно-исследовательский институт физики Южного федерального университета, Ростов-на-Дону, Россия
3Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: Antvpr@mail.ru, dm.kiselev@gmail.com, matyash.ya.yu@gmail.com
Поступила в редакцию: 22 февраля 2021 г.
В окончательной редакции: 22 февраля 2021 г.
Принята к печати: 24 февраля 2021 г.
Выставление онлайн: 14 марта 2021 г.

С использованием методов диэлектрической спектроскопии и сканирующей зондовой микроскопии (в режимах силовой микроскопии пьезоотклика и Кельвин моды) проведены исследования фазовых превращений и сегнетоэлектрических характеристик тонких пленок ниобата бария-стронция SBN-50, выращенных методом ВЧ-катодного распыления в атмосфере кислорода. Показано, что пленки характеризуются низкой шероховатостью поверхности, средним размером сегнетоэлектрических доменов ~ 100 nm и самопроизвольной поляризацией, направленной от подложки к поверхности пленки. Установлены различия в величине сигнала поверхностного потенциала и его релаксация для областей, заполяризованных внешним полем различной полярности (+10 и -10 V). Характер изменения диэлектрических параметров в интервале температур T=275-500 K свидетельствует о принадлежности материала к сегнетоэлектрикам-релаксорам. Обсуждаются причины установленных закономерностей. Ключевые слова: тонкие пленки, ниобат бария-стронция, сканирующая зондовая микроскопия.
  1. S. Trolier-McKinstry, P. Muralt. J. Electroceramics 12, 7 (2004)
  2. В.М. Мухортов, Ю.И. Юзюк. Гетероструктуры на основе наноразмерных сегнетоэлектрических пленок: получение, свойства и применение. ЮНЦ РАН, Ростов н/Д. (2008). 224 с
  3. Ю.С. Кузьминов. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. Наука, M. (1982). 400 с
  4. С.А. Борисов, Н.М. Окунева, С.Б. Вахрушев, А.А. Набережнов, Т.Р. Волк, А.В. Филимонов. ФТТ 55, 2, 295 (2013)
  5. S. Gupta, A. Paliwal, V. Gupta, M. Tomar. Opt. Laser Technology 137, 106816, 1 (2021)
  6. В.М. Мухортов, Ю.И. Головко, А.В. Павленко, Д.В. Стрюков, С.В. Бирюков, А.П. Ковтун, С.П. Зинченко. ФТТ 60, 9, 1741 (2018)
  7. P.R. Willmott, R. Herger, B.D. Patterson, R. Windiks. Phys. Rev. B 71, 144114 (2005)
  8. А.В. Павленко, И.Н. Захарченко, Ю.А. Кудрявцев, Л.И. Киселева, С.Х. Алихаджиев. Неорган. материалы 56, 11, 1252 (2020)
  9. I. Horcas, R. Fernandez, J.M. Gomez-Rodriguez, J.W.S.X. Colchero, J.W.S.X.M. Gomez-Herrero, A.M. Baro. Rev. Sci. Instruments 78, 1, 013705 (2007)
  10. R.C. Munoz, G. Vidal, M. Mulsow, J.G. Lisoni, C. Arenas, A. Concha, R. Esparza. Phys. Rev. B 62, 7, 4686 (2000)
  11. А.В. Павленко, Д.В. Стрюков, Л.И. Ивлева, А.П. Ковтун, К.М. Жидель, П.А. Лыков. ФТТ 63, 2, 250 (2021)
  12. А.Г. Канарейкин, Е.Ю. Каптелов, С.В. Сенкевич, И.П. Пронин, А.Ю. Сергиенко, О.Н. Сергеева. ФТТ 58, 11, 2242 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.