Вышедшие номера
Амплитудные зависимости диэлектрических потерь в тонкопленочном наногранулированном композите (x)Ni-(1-x)PZT
Russian Science Foundation , 17-72-20105
Калгин А.В.1,2, Кобяков И.Ю.1
1Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
2Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Email: kalgin_alexandr@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 января 2021 г.
В окончательной редакции: 27 января 2021 г.
Принята к печати: 30 января 2021 г.
Выставление онлайн: 14 марта 2021 г.

При температурах T ниже сегнетоэлектрической точки Кюри и разных напряженностях постоянного электрического поля E= изучены зависимости диэлектрических потерь tgdelta в тонкопленочном наногранулированном композите (x)Ni-(1-x)[Pb0.81Sr0.04(Na0.5Bi0.5)0.15][(Zr0.575Ti0.425)]O3 от напряженности переменного электрического поля E~. Обнаружено, что tgdelta практически не изменяется с ростом E~ до напряженности некоторого порогового поля Et и плавно возрастает при E~>Et. Величина Et уменьшается, когда T увеличивается, а x и E= уменьшаются. Обнаруженные зависимости tgdelta(E~) и Et от T, x и E= объясняются в рамках модели взаимодействия доменных границ с закрепляющими их точечными дефектами в сегнетоэлектриках. Ключевые слова: магнитоэлектрический композит, точечный дефект, доменная граница, диэлектрические потери, точка Кюри.
  1. Handbook of thin-film deposition processes and techniques: Principles, methods, equipment and applications / Ed. K. Seshan. N.Y., Norwich (2002). 629 с
  2. O.O. Abegunde, E.T. Akinlabi, O.P. Oladijo, S. Akinlabi, A.U. Ude. AIMS Mater. Sci. 6, 174 (2019)
  3. H. Palneedi, V. Annapureddy, S. Priya, J. Ryu. Actuators 5, 1 (2016)
  4. J.-G. Wan, Y. Weng, Y. Wu, Z. Li, J.-M. Liu, G. Wang. Nanotechnology 18, 465708 (2007)
  5. L.-V. Lich, T. Shimada, K. Miyata, K. Nagano, J. Wang, T. Kitamura. Appl. Phys. Lett. 107, 232904 (2015)
  6. М.Е. Адамова, Е.А. Жуков, А.В. Каминский. Изв. вузов. Приборостроение 62, 261 (2019)
  7. С.А. Гриднев, Б.М. Даринский, В.М. Попов, Л.А. Шувалов. ФТТ 28, 2009 (1986)
  8. Л.Н. Коротков, Т.Н. Короткова. Изв. РАН. Сер. физ. 77, 1154 (2013)
  9. В.В. Волков, В.А. Боков. ФТТ 50, 193 (2008)
  10. В.С. Герасимчук, А.А. Шитов. ФТТ 54, 79 (2012)
  11. С.А. Флерова, И.Е. Чупис. Изв. РАН. Сер. физ. 57, 20 (1993)
  12. S.A. Gridnev, A.A. Kamynin, A.S. Shportenko, P.V. Kulakov. Ferroelectrics 501, 187 (2016)
  13. A.V. Kalgin. Ferroelectrics 561, 1 (2020)
  14. С.А. Гриднев, В.М. Попов, Л.А. Шувалов, В.Н. Нечаев. ФТТ 27, 3 (1985)
  15. Л.Н. Камышева, О.М. Сердюк, С.Н. Дрождин, О.А. Зайцева. ФТТ 32, 1667 (1990)
  16. Ю.В. Подгорный, А.С. Вишневский, К.А. Воротилов, П.П. Лавров, А.Н. Ланцев. Микроэлектроника 43, 468 (2014)
  17. А.С. Сидоркин. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах. Физматлит, М. (2000). 240 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.