Вышедшие номера
Самоорганизация состава пленок AlxGa1-xN, выращенных на гибридных подложках SiC/Si
Переводная версия: 10.1134/S1063783421030100
Russian science foundation, 20-12-00193
Кукушкин С.А. 1, Шарофидинов Ш.Ш.1,2, Осипов А.В.1, Гращенко А.С.1, Кандаков А.В.1, Осипова Е.В.1, Котляр К.П.3, Убыйвовк Е.В.4
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 9 ноября 2020 г.
В окончательной редакции: 9 ноября 2020 г.
Принята к печати: 11 ноября 2020 г.
Выставление онлайн: 12 декабря 2020 г.

Методами спектральной эллипсометрии, рамановской спектроскопии и растровой микроскопии с рентгеновским спектрометром обнаружено явление самоорганизованного изменения состава эпитаксиальных слоев твердого раствора AlxGa1-xN при их росте методом хлорид-гидридной эпитаксии на гибридных подложках SiC/Si (111). Установлено, что в процессе роста слоев AlxGa1-xN с низким, порядка 11-24% содержанием Al, возникают прослойки или домены, состоящие из AlGaN стехиометрического состава. Предложена качественная модель, согласно которой самоорганизация по составу возникает вследствие воздействия на кинетику роста пленки AlxGa1-xN двух процессов. Первый процесс связан с конкуренцией двух химических реакций, протекающих с различной скоростью. Одной из этих реакций является реакция образования AlN; вторая - реакция образования GaN. Второй процесс, тесно связанный с первым, - возникновение упругих сжимающих и растягивающих напряжений в процессе роста пленок AlxGa1-xN на SiC/Si (111). Оба процесса влияют друг на друга, что приводит к сложной картине апериодического изменения состава по толщине слоя пленки. Ключевые слова: соединения A3B5, широкозонные полупроводники, AlGaN, AlN, GaN, карбид кремния на кремнии, самоорганизация, метод HVPE, твердые растворы, гетероструктуры.
  1. С.А. Кукушкин, Ш.Ш. Шарофидинов. ФТТ 12, 2338 (2019). http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/48549
  2. S.Yu. Karpov, N.I. Podolskaya, I.A. Zhmakin, A.I. Zhmakin. Phys. Rev. B 70, 235203 (2004). DOI: 10.1103/Phys.Rev.B70.235203
  3. В.Н. Жмерик, А.М. Мизеров, Т.В. Шубина, А.В. Сахаров, А.А. Ситникова, П.С. Копьев, С.В. Иванов, Е.В. Луценко, А.В. Данильчик, Н.В. Ржеуцкий, Г.П. Яблонский. ФТП 42, 1452 (2008). https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/6716
  4. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D 47, 313001 (2014). DOI: 10.1088/0022-3727/47/31/313001
  5. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ 56, 1457 (2014). http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/40674
  6. А.В. Редьков, А.В. Осипов, С.А. Кукушкин. ФТТ 57, 2451 (2015)
  7. A. Mizerov, V. Jmerik, M. Yagovkina, S. Troshkov, P. Kop'ev, S. Ivanov. J. Crys. Growth. 323, 68 (2011). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.11.136
  8. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. Письма в ЖТФ 43, 81 (2017). DOI: 10.21883/PJTF.2017.13.44815.16625. http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/44815
  9. I.P. Pronin., S.A. Kukushkin, V.V. Spirin, S.V. Senkevich, E.Yu. Kaptelov, D.M. Dolgintsev, V.P. Pronin, D.A. Kiselev, O.N. Sergeeva. Mater. Phys. Mech. 30, 20 (2017). http://www.ipme.ru/e-journals/MPM/no\_13017/ MPM130\_02\_pronin.pdf
  10. W.S. Gorsky. Phys. Z. Sow. 8, 457 (1935)
  11. А.В. Тумаркин, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, А.С. Анкудинов, A.A. Одинец. ФТТ 57, 796 (2015). DOI: 10.1134/S1063783415040307. https://journals.ioffe.ru/articles/41614
  12. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, В.Н. Пантелеев. ФТТ 59, 660 (2017)
  13. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 36, 1258 (1994). https://journals.ioffe.ru/articles/16473
  14. M. Kuball. Surf. Interface Anal. 31, 987 (2001). DOI: 10.1002/sia.1134

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.