Вышедшие номера
Магнетосопротивление и ИК-спектр примесных состояний в пленке Ce3Fe5O12
Переводная версия: 10.1134/S1063783421020025
Аплеснин С.С.1,2, Масюгин А.Н.1, Кретинин В.В.1, Коновалов С.О.1, Шестаков Н.П.2
1Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
2Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Email: apl@iph.krasn.ru
Поступила в редакцию: 18 октября 2020 г.
В окончательной редакции: 18 октября 2020 г.
Принята к печати: 20 октября 2020 г.
Выставление онлайн: 9 ноября 2020 г.

В поликристаллических пленках цериевого феррита граната найдена величина щели в спектре электронных возбуждений, электронные переходы между примесными двухвалентными и четырехвалентными ионами железа и церия из ИК-спектров поглощения. Найдены температуры делокализации двухвалентных состояний железа из импедансной спектроскопии, электросопротивления и ИК-спектров. Найдено отличие магнитосопротивления на переменном и постоянном токе, которое объясняется в модели диэлектрически неоднородной среды. Ключевые слова: магнитоимпеданс, ИК-спектроскопия, цериевый феррит гранат, тонкие пленки.
  1. X. Ma. J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 11, 351 (2000)
  2. M.C. Onbasli, T. Goto, X. Sun, N. Huynh, C.A. Ross. Opt. Exp. OE 22, 25183 (2014)
  3. M. Huang, S-Y. Zhang. Appl. Phys. A 74, 177 (2002)
  4. M. Vasiliev, P.C. Wo, K. Alameh, P. Munroe, Z. Xie, V.A. Kotov, V.I. Burkov. J. Phys. D 42, 135003 (2009)
  5. A.B. Ustinov, A.V. Drozdovskii, A.A. Nikitin, A.A. Semenov, D.A. Bozhko, A.A. Serga, B. Hillebrands, E. Lahderanta, B.A. Kalinikos. Commun. Phys. 2, 1 (2019)
  6. J.W. Lee, J.H. Oh, J.C. Lee, S.C. Choi. J. Magn. Magn. Mater. 272-276, 2230 (2004)
  7. X.Z. Guo, B.G. Ravi, Q.Y. Yan, R.J. Gambino, S. Sampath, J. Margolies. J. Parise Ceram. Int. 32, 61 (2006)
  8. A.M.J.G. Run, D.R. Terrell, J.H. Scholing. J. Mater. Sci. 9, 10, 1710 (1974)
  9. J. Boomgaard, A.M.J.G. Run, J. Suhtelen. Ferroelectrics 10, 1/4, 295 (1976)
  10. А.Е. Гелясин, В.М. Лалетин, Л.И. Трофимович. ЖТФ 58, 11, 2239 (1988)
  11. Б.А. Гижевский, Ю.П. Сухоруков, Е.А. Ганьшина, Н.Н. Лошкарева, А.В. Телегин, Н.И. Лобачевская, В.С. Гавико, В.П. Пилюгин. ФТТ 51, 9, 1729 (2009)
  12. B. Antonini, S. Geller, A. Paoletti, P. Paroli, A. Tucciarone. Phys. Rev. Lett. 41, 1556 (1978)
  13. Э.Л. Нагаев. УФН 117, 437 (1975)
  14. М.Ю. Каган, К.И. Кугель. УФН 171, 577 (2001)
  15. M. Huang, S-Y. Zhang. Appl. Phys. A 74, 177 (2002)
  16. Ю.П. Смирнов, А.Е. Совестнов, А.В. Тюнис, В.А. Шабуров. ФТТ 40, 8, 1397 (1998)
  17. G.D. Nipan, A.I. Stognij, V.A. Ketsko. ChemInform Abstract: Oxide Ferromagnetic Semiconductors. Coatings and Films ChemInform 44 (2013)
  18. J.I. Pankove. Optical processes in semiconductors (1971)
  19. S.H. Wemple, S.L. Blank, J.A. Seman, W.A. Biolsi. Phys. Rev. B 9, 2134 (1974)
  20. F. Lucari, C. Mastrogiuseppe, E. Terrenzio, G. Tomassetti. J. Magn. Magn. Mater. 20, 84 (1980)
  21. F. Lucari, C. Mastrogiuseppe, G. Tomassetti. J. Phys. C 10, 4869 (1977)
  22. Z.V. Gareyeva, R.A. Doroshenko. J. Magn. Magn. Mater. 268, 1 (2004)
  23. E. Lage, L. Beran, A.U. Quindeau, L. Ohnoutek, M. Kucera, R. Antos, S.R. Sani, G.F. Dionne, M. Veis, C.A. Ross. APL Mater. 5, 036104 (2017)
  24. X. Guo, A.H. Tavakoli, S. Sutton, R.K. Kukkadapu, L. Qi, A. Lanzirotti, M. Newville, M. Asta, М. Navrotsky. Chem. Mater. 26, 1133 (2014)
  25. M.M. Branda, C. Loschen, K.M. Neyman, F. Illas. J. Phys. Chem. C 112, 17643 (2008)
  26. S.N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic Processes in Non-crystalline Materials. Clarendon Press (1971)
  27. A. Kehlberger, K. Richter, M.C. Onbasli, G. Jakob, D.H. Kim, T. Goto, C.A. Ross, G. Gotz, G. Reiss, T. Kuschel, M. Klaui. Phys. Rev. Appl. 4, 1, 014008 (2015)
  28. M.M. Parish, P.B. Littlewood. Phys. Rev. Lett. 101, 166602 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.