Вышедшие номера
Study of Transport Phenomenon in Amorphous RexSi1-x Thin Films on the Both Sides of the Metal--Insulator Transition at Very Low Temperatures
Полная версия: 10.1134/S1063783420120215
El Oujdi A.1, Dlimi S.2, Echchelh A.1, El Kaaouachi A.3
1Laboratory of Energetic Engineering and Materials, Faculty of Sciences Ibn Tofail, Kenitra, Morocco
2Physics department, Faculty of Sciences,, Agadir, Morocco
3MPAC group, Faculty of Sciences, BP,, Agadir, Morocco
Email: kaaouachi21@yahoo.fr
Поступила в редакцию: 1 марта 2020 г.
Выставление онлайн: 8 сентября 2020 г.

In this work, we study the electrical conductivity behaviors on the both sides of the metal-insulator transition (MIT) in RexSi1-x amorphous thin films at very low temperature. In fact, our investigation re-analyzed the experimental measurements of RexSi1-x obtained by K.G. Lisunov et al. On the insulating side of the MIT, the electrical conductivity can be interpreted by the existence of the variable range-hopping (VRH) regime. However, on the metallic side of the MIT, the electrical conductivity is mainly due to electron-electron interactions and low localization effects. Keywords: transport phenomena, electrical conductivity, low temperatures, variable range hopping, metal-insulator transition.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.