Вышедшие номера
Полупроводниковое латеральное спиновое устройство с электродами из полуметаллического ферромагнетика
Переводная версия: 10.1134/S1063783420120318
Виглин Н.А.1, Цвелиховская В.М.1, Наумов С.В.1, Шориков А.О.1,2, Павлов Т.Н.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Email: viglin@imp.uran.ru
Поступила в редакцию: 10 августа 2020 г.
В окончательной редакции: 10 августа 2020 г.
Принята к печати: 12 августа 2020 г.
Выставление онлайн: 8 сентября 2020 г.

В полупроводниковом спиновом устройстве с электродами, сформированными из пленки полуметаллического ферромагнетика Fe2NbSn, достигнуты значения спиновой поляризации электронов, инжектированных в полупроводник InSb, PS=4%. Это соответствует максимально возможной PS для прозрачных контактов полупроводника и ферромагнетика, в котором поляризация PF=95%. Показано, что для эффективной инжекции спин-поляризованных электронов из ферромагнетика в полупроводник необходимо применять ферромагнетик, поляризация электронов в котором 100% или формировать в интерфейсе дополнительный слой с высоким сопротивлением. Ключевые слова: спиновая поляризация, полупроводники, спиновая инжекция, полуметаллические ферромагнетики.
  1. R.J. Soulen Jr., J.M. Byers, M.S. Osofsky, B. Nadgorny, T. Ambrose, S.F. Cheng, P.R. Broussard, C.T. Tanaka, J. Nowak, J.S. Moodera, A. Barry, J.M.D. Coey. Science 282, 85 (1998)
  2. G. Schmidt, D. Ferrand, L.W. Molenkamp, A.T. Filip, B.J. van Wees. Phys. Rev. B 62, R4790(R) (2000)
  3. X. Lou, C. Adelmann, S.A. Crooker, E.S. Garlid, J. Zhang, S.M. Reddy, S.D. Flexner, C.J. Palmstr, P.A. Crowell. Nature Phys. 3, 197 (2007)
  4. Н.А. Виглин, В.М. Цвелиховская, Н.А. Кулеш, Т.Н. Павлов, Письма в ЖЭТФ, 110 248 (2019). [N.A. Viglin, V.M. Tsvelikhovskaya, N.A. Kulesh, T.N. Pavlov. JETP Lett. 110 273 (2019).]
  5. Э.Л. Нагаев. Физика магнитных полупроводников. Наука, М.(1979)
  6. R.A. de Groot, F.M. Mueller, P.G. van Engen, K.H.J. Buschow. Phys. Rev. Lett. 50 2024 (1983)
  7. M.I. Katsnelson, V.Yu. Irkhin, L. Chioncel, A.I. Lichtenstein, R.A. deGroot, Rev. Mod. Phys. 80 1 (2008)
  8. А.Я. Нашельский. Техгология спецматериалов электронной техники. Металлургия, М. (1993), 368 с. [A.Ya. Nashel'sky. Technology of Special Materials of Electron Technique Metallurgiya, M. (1993). p. 368.]
  9. A.D. Rata, H. Braak, D.E. Burgler, S. Cramm, C.M. Schneider. Eur. Phys. J. 52 445 (2006)
  10. Н.А. Виглин, В.В. Марченков, М.А. Миляев, С.В. Наумов, Е.И. Патраков, А.О. Шориков, Е.И. Шредер, К.А. Белозерова. ФММ 114 1 (2013). [N.A. Viglin, V.V. Marchenkov, M.A. Milyaev, S.V. Naumov, E.I. Patrakov, A.O. Shorikov, E.I. Shreder, K.A. Belozerov. Phys. Met. Metallography 114 1003 (2013).]
  11. N.A. Viglin, V.V. Ustinov, S.O. Demokritov, A.O. Shorikov, N.G. Bebenin, V.M. Tsvelikhovskaya, T.N. Pavlov, E.I. Patrakov. Phys. Rev B 96, 235303 (2017)
  12. Y.V. Kudryavtsev, V.A. Oksenenko, Y.P. Lee, Y.H. Hyun, J.B. Kim, J.S. Park, S.Y. Park, J. Dubowik. Phys. Rev. B 76, 024430 (2007)
  13. M.C. Hickey, C.D. Damsgaard, S.N. Holmes, I. Farrer, G.A.C. Jones, D.A. Ritchie, C.S. Jacobsen, J.B. Hansen, M. Pepper. Appl. Phys. Lett. 92, 232101 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.