Формирование гетероперехода II типа в полупроводниковой структуре InAsSb/InAsSbP
Романов В.В.1, Иванов Э.В.1, Моисеев К.Д.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mkd@iropt2.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 июня 2020 г.
В окончательной редакции: 26 июня 2020 г.
Принята к печати: 30 июня 2020 г.
Выставление онлайн: 3 августа 2020 г.
Представлены результаты исследования электролюминесцентных и вольт-амперных характеристик гетероструктуры n-InAs/n-InAsSb/p-InAsSbP, выращенной методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. В спектральном диапазоне 0.23-0.29 eV обнаружена интенсивная электролюминесценция при температуре T=77 K. Положение максимума основной полосы излучения (hν~0.24 eV) демонстрировало заметный "голубой" сдвиг при увеличении приложенного прямого смещения. На основании проведенных исследований был сделан вывод о существовании на гетерогранице InAs0.84Sb0.16/InAs0.32Sb0.28P0.40 ступенчатого гетероперехода II типа, что подтверждается результатами расчета зонной энергетической диаграммы. Ключевые слова: гетеропереходы, МОГФЭ, электролюминесценция, вольт-амперные характеристики, антимониды, InAs.
- М.М. Григорьев, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев. ФТП 45, 10, 1386 (2011)
- S.-H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B 52, 12039 (1995)
- P.T. Webster, N.A. Riordan, S. Liu, E.H. Steenbergen, R.A. Synowicki, Y.-H. Zhang, S.R. Johnson. J. Appl. Phys. 118, 245706 (2015)
- В.В. Романов, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев. ФТТ 61, 10, 1746 (2019)
- В.В. Романов, И.А. Белых, Э.В. Иванов, П.А. Алексеев, Н.Д. Ильинская, Ю.П. Яковлев. ФТП 53, 6, 832 (2019)
- И.А. Андреев, М.А. Афраилов, А.Н. Баранов, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, В.В. Шерстнев, В.Е. Уманский, Ю.П. Яковлев. Письма в ЖТФ 16, 4, 27 (1990)
- Landolt-Bornstein. Handbook. Numerical Data. Ser. III. Springer, Berlin, Heidelberg. 17a / Ed. O. Madelung, (1982). 264 p.; 22a / Ed. K.-H. Hellwege, (1987). 305 p
- Y. Lacroix, C.A. Tran, S.P. Watkins, M.L.W. Thewalt. J. Appl. Phys. 80, 6416 (1996)
- X. Gong, H. Kan, T. Yamaguchi, I. Suzuki, M. Aoyama, M. Kumagawa, N.L. Rowell, A. Wang, R. Rinfret. Jpn. J. Appl. Phys. 33, 1740 (1994)
- M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, Yu.P. Yakovlev. Semicond. Sci. Technol. 19, R109 (2004)
- В.В. Романов, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев, А.А. Пивоварова, Ю.П. Яковлев. ФТП 54, 2, 202 (2020)
- В.В. Романов, П.А. Дементьев, К.Д. Моисеев. ФТП 50, 7, 927 (2016)
- H.А. Чарыков, А.М. Литвак, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. ФТП 31, 4, 410 (1997)
- K.D. Moiseev, V.V. Romanov, T.I. Voronina, T.S. Lagunova, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev. J. Cryst. Growth 310, 4846 (2008)
- М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Г.Г. Зегря, И.Н. Тимченко, Ю.П. Яковлев. ФТП 29, 4, 687 (1995)
- V. Vankova, P. Gladkov, J.R. Botha. J. Cryst. Growth 275, e1109 (2005)
- M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, T.I. Voronina, T.S. Lagunova, Yu.P. Yakovlev. J. Appl. Phys. 102, 113710 (2007).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
