Вышедшие номера
Параметры туннельного барьера сверхпроводниковых структур на основе ниобия
Переводная версия: 10.1134/S1063783420090231
Российский научный фонд, 19-19-00618
Министерство науки и высшего образования РФ , Государственное задание
Парамонов М.Е. 1, Филиппенко Л.В.1, Дмитриев П.Н.1, Фоминский М.Ю.1, Ермаков А.Б.1, Кошелец В.П.1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
Email: paramonov@hitech.cplire.ru, valery@hitech.cplire.ru
Поступила в редакцию: 26 марта 2020 г.
В окончательной редакции: 26 марта 2020 г.
Принята к печати: 2 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 3 июня 2020 г.

Проведена оценка основных параметров туннельного барьера джозефсоновских переходов Nb/AlOx/Nb и Nb/AlN/Nb в широком диапазоне значений плотностей тока с использованием метода Симмонса. Экспериментально определены зависимости высоты и ширины туннельного барьера от удельного сопротивления для каждого типа переходов. Снижение высоты туннельного барьера перехода с прослойкой из AlN на 0.3 eV, по сравнению с оксидным, позволяет получать переходы с плотностью тока выше 15 kA/cm2 при технологически достижимой толщине изоляционного слоя порядка 10 Angstrem, что дает возможность реализовывать параметр качества Rj/Rn не ниже 25. Ключевые слова: сверхпроводимость, сверхпроводниковый туннельный переход, параметры туннельного барьера,  метод Симмонса, приемные устройства терагерцового диапазона.