Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности теплопереноса в гетероструктурах AlxGa1-xN/GaN на сапфире
Переводная версия: 10.1134/S106378342004006X 
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), А, 19-07-00229
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия 
Email: Chernodubov_DA@nrcki.ru
Поступила в редакцию: 14 ноября 2019 г.
В окончательной редакции: 14 ноября 2019 г.
Принята к печати: 28 ноября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.
Измерена теплопроводность тонких слоев гетероструктур AlxGa1-xN/GaN (0.05≤ x≤1) на сапфире, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Получены значения теплопроводности тонких пленок AlxGa1-xN и GaN при комнатной температуре. Концентрационная зависимость теплопроводности проанализирована с использованием модели теплопроводности виртуального кристалла. Проведено численное моделирование теплопереноса в структуре при нагреве в локальной области и предложены оптимальные размеры толщин слоев структуры для достижения высокой величины теплопроводности. Ключевые слова: теплопроводность, нитрид галлия, нитрид алюминия, сапфир, 3-омега-метод измерения теплопроводности.
- Ю. Федоров. Электроника НТБ 2, 92 (2011)
- D. Maier, M. Alomari, N. Grandjean, J.-F. Carlin, M.-A. Forte-Poisson, C. Dua, A. Chuvilin, D. Troadec, C. Gaquie're, U. Kaiser, S.L. Delage, E. Kohn. IEEE Trans. Dev. Mater. Rel. 10, 427 (2010)
- A. Jezowski, O. Churiukova, J. Mucha, T. Suski, I. Obukhov, B. Danilchenko. Mater. Res. Express 2, 085902 (2015)
- G.A. Slack, R.A. Tanzilli, R. Pohl, J. Vandersande. J. Phys. Chem. Solids 48, 641 (1987)
- W. Liu, A.A. Balandin. J. Appl. Phys. 97, 073710 (2005)
- C.A. Polanco, L. Lindsay. Phys. Rev. B 99, 075202 (2019)
- A. Sarua, H. Ji, K. Hilton, D. Wallis, M.J. Uren, T. Martin, M. Kuball. IEEE Trans. Electron Dev. 54, 3152 (2007)
- A. van Roekeghem, B. Vermeersch, J. Carrete, N. Mingo. Phys. Rev. Appl. 11, 034036 (2019)
- K. Park, C. Bayram. Appl. Phys. Lett. 109, 151904 (2016)
- D.G. Cahill. Rev. Sci. Instrum. 61, 802 (1990)
- D.A. Chernodoubov, A.V. Inyushkin. Rev. Sci. Instrum. 90, 024904 (2019)
- J. Alvarez-Quintana, J. Rodri guez-Viej. Sens. Actuat. A-Phys. 142, 232 (2008)
- B. Abeles. Phys. Rev. 131, 1906 (1963)
- P.G. Klemens. In: Solid State Phys. / Ed. F. Seitz, D. Turnbull. Academic Press, Inc., N.Y. (1958). V. 7. P. 1--98
- A. Jezowski, B. Danilchenko, M. Bockowski, I. Grzegory, S. Krukowski, T. Suski, T. Paszkiewicz. Solid State Commun. 128, 69 (2003)
- R.R. Reeber, K. Wang. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 6 (2001)
- C. Mion, J.F. Muth, E.A. Preble, D. Hanser. Appl. Phys. Lett. 89, 092123 (2006)
- D.I. Florescu, V.M. Asnin, F.H. Pollak, R.J. Molnar, C.E.C. Wood. J. Appl. Phys. 88, 3295 (2000)
- C. Luo, D.R. Clarke, J.R. Dryden. J. Electron. Mater. 30, 138 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
