Влияние структурных свойств на электросопротивление тонких пленок Al/Ag в процессе твердофазной реакции
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами, 18-13-00080
Алтунин Р.Р.
1, Моисеенко Е.Т.
1, Жарков С.М.
2,11Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия
2Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Email: raltunin@gmail.com
Поступила в редакцию: 16 декабря 2019 г.
В окончательной редакции: 16 декабря 2019 г.
Принята к печати: 17 декабря 2019 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.
На основании результатов исследования процессов твердофазной реакции в тонких пленках Al/Ag (атомное соотношение Al : Ag = 1 : 3) методами in situ дифракции электронов и измерения величины удельного электросопротивления установлена температура начала реакции, а также предложена модель структурных фазовых переходов. Твердофазная реакция начинается при 70oC с образования твердого раствора Al-Ag на границе раздела нанослоев алюминия и серебра. Установлено, что в процессе реакции последовательно формируются интерметаллические соединения γ-Ag2Al -> μ-Ag3Al. Показано, что возможность формирования фазы μ-Ag3Al при твердофазной реакции в тонких пленках Al/Ag зависит от соотношения алюминия и серебра, при этом формирование фазы μ-Ag3Al начинается только после того как весь ГЦК-алюминий прореагирует. Ключевые слова: тонкие пленки, фазообразование, Al/Ag, твердофазная реакция, дифракция электронов, удельное электросопротивление.
- M. Schneider-Ramelow, C. Ehrhardt. Microelectron. Reliab. 63, 336 (2016)
- S.W. Fu, C.C. Lee. J. Mater. Sci. Mater. Electron. 29, 3985 (2018)
- E. Colgan. Mater. Sci. Reports 5, 1 (1990)
- C.H. Cheng, H.L. Hsiao, S.I. Chu, Y.Y. Shieh, C.Y. Sun, C. Peng. 2013 IEEE; 63rd Electron. Components Technol. Conf., 1569 (2013)
- A. Mamala, T. Knych, P. Kwasniewski, A. Kawecki, G. Kiesiewicz, E. Sieja-Smaga, W. Sci ezor, M. Gnie czyk, R. Kowal. Arch. Met. Mater. 61, 1875 (2016)
- Y. Wang, T.L. Alford, J.W. Mayer. J. Appl. Phys. 86, 5407 (1999)
- Y.T. Hwang, H.G. Hong, T.Y. Seong, D.S. Leem, T. Lee, K.K. Kim, J.O. Song. Mater. Sci. Semicond. Proc. 10, 14 (2007)
- M. Qian, X.B. Shi, J. Ma, J. Liang, Y. Liu, Z.K. Wang, L.S. Liao. Rsc Adv. 5, 96478 (2015)
- J.H. Im, K.T. Kang, S.H. Lee, J.Y. Hwang, H. Kang, K.H. Cho. Org. Electron. Phys. Mater. Appl. 33, 116 (2016)
- D.J. Kim, H.N. Lee. Mol. Cryst. Liq. Cryst. 645, 185 (2017)
- P. Afzali, M. Yousefpour, E. Borhani. J. Mater. Res. 31, 2457 (2016)
- M.G. Blaber, M.D. Arnold, M.J. Ford. J. Phys. Condens. Matter 22, 143201 (2010)
- S. Auer, W. Wan, X. Huang, A.G. Ramirez, H. Cao. Appl. Phys. Lett. 99, 1 (2011)
- K.H. Jung, S.J. Yun, S.H. Lee, Y.J. Lee, K.S. Lee, J.W. Lim, K.B. Kim, M. Kim, R.E.I. Schropp. Solar. Energy Mater. Solar. Cells 145, 368 (2016)
- Y.J. Lee, C.B. Yeon, S.J. Yun, K.S. Lee, J.W. Lim, K.B. Kim, J. Baek. Mater. Res. Bull. 48, 5093 (2013)
- M.K.M. Ali, K. Ibrahim, E.M. Mkawi. Mater. Sci. Semicond. Proc. 16, 593 (2013)
- К. Мейер. Физико-химическая кристаллография. Металлургия, М. (1972). 480 с
- D.E. Eakins, D.F. Bahr, M.G. Norton. J. Mater. Sci. 39, 165 (2004)
- C. Xu, T. Sritharan, S.G. Mhaisalkar. Scr. Mater. 56, 549 (2007)
- C. Weaver, D.T. Parkinson. Phil. Mag. 22, 377 (1970)
- С. Дидилев. Компоненты и технологии 5, 15 (2010)
- J.E.E. Baglin, F.M. D'Heurle, W.N. Hammer. J. Appl. Phys. 50, 266 (1979)
- R. Roy, S.K. Sen. J. Mater. Sci. 27, 6098 (1992)
- J. Schleiwies, G. Schmitz. Mater. Sci. Eng. A 327, 94 (2002)
- A. Markwitz, W. Matz. Interface 26, 160 (1998)
- С.М. Жарков, Е.Т. Моисеенко, Р.Р. Алтунин, Н.С. Николаева, В.С. Жигалов, В.Г. Мягков. Письма в ЖЭТФ 99, 472 (2014)
- Е.Т. Моисеенко, Р.Р. Алтунин, С.М. Жарков. ФТТ 59, 1208 (2017)
- S.M. Zharkov, E.T. Moiseenko, R.R. Altunin. J. Solid State Chem. 269, 36 (2019)
- S.M. Zharkov, R.R. Altunin, E.T. Moiseenko, G.M. Zeer, S.N. Varnakov, S.G. Ovchinnikov. Solid State Phenom. 215, 144 (2014)
- Р.Р. Алтунин, Е.Т. Моисеенко, С.М. Жарков. ФТТ 62, 158 (2020)
- E.T. Moiseenko, R.R. Altunin, S.M. Zharkov. Metall. Mater. Trans. A Phys. Met. Mater. Sci. 51, 1428 (2020). (DOI: 10.1007/s11661-019-05602-5)
- V.G. Myagkov, L.E. Bykova, O.A. Bayukov, V.S. Zhigalov, I.A. Tambasov, S.M. Zharkov, A.A. Matsynin, G.N. Bondarenko. J. Alloys Compd. 636, 223 (2015)
- V.G. Myagkov, V.S. Zhigalov, L.E. Bykova, S.M. Zharkov, A.A. Matsynin, M.N. Volochaev, I.A. Tambasov, G.N. Bondarenko. J. Alloys Compd. 665, 197 (2016)
- R. Pretorius, T. Marais, C. Theron. Mater. Sci. Reports 10, 1 (1993)
- J.M. Camacho, A.I. Oliva. Thin Solid Films 515, 1881 (2006)
- W. Martienssen, H. Warlimont. Springer Handbook of Condensed Matter and Materials Data. Springer, Berlin, Heidelberg (2005)
- H. Aboulfadl, I. Gallino, R. Busch, F. Mucklich. J. Appl. Phys. 120, 195306 (2016)
- M. Braunovic, N. Alexandrov. IEEE Trans. Components, Packag. Manuf. Technol. A 17, 78 (1994)
- Р.Р. Алтунин, Е.Т. Моисеенко, Н.С. Николаева, С.М. Жарков. Решетневcкие чтения 1, 590 (2016)
- A. Gusak, F. Hodaj, O. Liashenko. Phil. Mag. Lett. 95, 110 (2015)
- V.I. Dybkov. J. Mater. Sci. 22, 4233 (1987)
- R.W. Balluffi, J.M. Bkakely. Thin Solid Films 25, 363 (1975)
- S. Pfeifer, S. Grossmann, H. Willing, H. Kappl. ICEC 2014; 27th Int. Conf. Electr. Contacts. 468 (2014).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
