Вышедшие номера
Эффект модификации вклада термоэмиссии локализованных зарядов в релаксацию фотоотклика монокристалла TlGaSe2
Переводная версия: 10.1134/S1063783420040186
Одринский А.П. 1
1Институт технической акустики НАН Беларуси, Витебск, Беларусь
Email: a.odrinsky@gmail.com
Поступила в редакцию: 29 ноября 2019 г.
В окончательной редакции: 29 ноября 2019 г.
Принята к печати: 10 декабря 2019 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.

Представлены результаты исследования особенностей процессов термоэмиссии с центров локализации зарядов в электрически неоднородном кристалле TlGaSe2. Неоднородности формировались предварительной поляризацией образца при низкой температуре сегнетоэлектрического состояния кристалла. Результаты хорошо согласуются с особенностями регистрации тепловой эмиссии локализованных зарядов на TlInS2 в области температуры сегнетоэлектрического состояния кристалла. Ключевые слова: слоистые кристаллы, сегнетоэлектрики-полупроводники, центры локализации заряда, фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия.