Вышедшие номера
Об аномальном влиянии внешнего электрического поля на фазовый переход второго рода в тонкой сегнетоэлектрической пленке
Переводная версия: 10.1134/S1063783420040162
Нечаев В.Н.1, Шуба А.В. 1
1Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил ”Военно-воздушная академия им. профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина“, Воронеж, Россия
Email: wladnic@mail.ru, shandvit@rambler.ru
Поступила в редакцию: 27 августа 2019 г.
В окончательной редакции: 12 декабря 2019 г.
Принята к печати: 25 ноября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.

В рамках феноменологической теории Ландау-Гинзбурга-Девоншира исследованы особенности фазового перехода в тонкой сегнетоэлектрической пленке во внешнем электрическом поле в зависимости от толщины пленки и типа закрепления поляризации на ее поверхности. Обнаружено, что в электрическом поле изменяется механизм фазового перехода. Помимо специфического размытия, отличающегося от размытия в объемном материле появлением вблизи TC температурного интервала с аномально высокой диэлектрической восприимчивостью, фазовый переход смещается по температуре, причем величина смещения зависит от толщины пленки, свойств ее поверхности и в слабых полях не зависит от напряженности поля. Ключевые слова: фазовый переход, сегнетоэлектрическая пленка, электрический потенциал, внешнее электрическое поле.
  1. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика. Т. 5. Статистическая физика. Ч. 1. Физматлит, М. (2002). 616 с
  2. В.Н. Нечаев, А.В. Шуба. ФТТ 60, 7, 1322 (2018)
  3. V.N. Nechaev, A.V. Shuba. Ferroelectrics 444, 18 (2013)
  4. В.Н. Нечаев, А.В. Шуба. ФТТ 56, 5, 949 (2014)
  5. И.Г. Петровский. Лекции по теории интегральных уравнений. Наука, М. (1965). 128 с
  6. К.М. Рабе, Ч.Г. Ан, Ж.-М. Трискон, Б.А. Струков, А.И. Лебедев. Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд. Лаб. знаний, М. (2015). 443 с
  7. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика. Т. 8. Электродинамика сплошных сред. Физматлит, М. (2005). 656 с
  8. V.N. Nechaev, A.V. Shuba. Ferroelectrics 359, 35 (2007)
  9. V.N. Nechaev, A.V. Shuba. Ferroelectrics 501, 32 (2016)
  10. Г.А. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, Н.Н. Крайник, Р.Е. Пасынков, М.С. Шур. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Наука, Л. (1971). 476 с
  11. V.N. Nechaev, A.V. Viskovatykh, A.V. Shuba. IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. 525, 012009 (2019)
  12. L.G. Sinnamon, R.M. Bowman, J.M. Gregg. Appl. Phys. Lett. 81, 889 (2002)
  13. G. Catalan, L.G. Sinnamon, J.M. Gregg. J. Phys.: Condens. Matter 16, 2253 (2004)
  14. M.D. Glinchuk, E.A. Eliseev, V.A. Stephanovich. Phisica B 322, 356 (200)
  15. M.D. Glinchuk, A.N. Morozovska, E.A. Eliseev. J. Appl. Phys. 99, 114102 (2006)
  16. I.A. Luk'yanchuk, L. Lahoche, A. Sene. Phys. Rev. Lett. 102, 147601 (2009)
  17. В.Н. Нечаев, А.В. Шуба. Сб. тр. XII междунар. конф. "ПМТУКТ-2019", ВГУИТ, Воронеж (2019). С. 234
  18. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика. Т. 6. Гидродинамика. Ч. 1. Физматлит, М. (2001). 736 с
  19. Ю.Н. Демков, Г.Ф. Друкарев. ЖЭТФ 49, 1( 7), 257 (1965)
  20. А.И. Базь, Я.Б. Зельдович, А.М. Переломов. Рассеяние, реакции и распады в нерелятивистской квантовой механике. 2-е изд. Наука, М. (1971). 544 с
  21. Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов. ЖЭТФ 115, 2, 605 (1999)
  22. Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, В.Е. Иванов, А.А. Дмитриевский. ЖЭТФ 116, 2, 1080 (2000)
  23. С.Б. Вахрушев, С.Г. Жуков, В.В. Чернышев. ФТТ 41, 7, 1282 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.