Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Резистивное переключение мемристоров на основе стабилизированного диоксида циркония сложными сигналами
Переводная версия: 10.1134/S1063783420040083 
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Email: dmitry_filatov@inbox.ru
Поступила в редакцию: 31 октября 2019 г.
В окончательной редакции: 31 октября 2019 г.
Принята к печати: 19 октября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.
Изучены особенности резистивного переключения в экспериментальных образцах мемристоров на основе тонких пленок стабилизированного иттрием диоксида циркония треугольными импульсами, на которые накладывался высокочастотный синусоидальный сигнал. Обнаружено уменьшение значений напряжения переключения мемристора из низкоомного состояния в высокоомное и обратно, а также увеличение отношения значений силы тока через мемристор в указанных состояниях и долговременной стабильности тока при наложении синусоидального сигнала на переключающие импульсы по сравнению с переключениями треугольными импульсами без синусоидального сигнала. Улучшение характеристик резистивного переключения связано с резонансной активацией миграции ионов кислорода по вакансиям в переменном внешнем электрическом поле. Ключевые слова: мемристор, резистивное переключение, стабилизированный диоксид циркония, резонансная активация.
- Resistive Switching: From Fundamentals of Nanoionic Redox Processes to Memristive Device Applications / Eds D. Ielmini, R. Waser. Wiley-VCH, Weinheim (2016). 784 p
- R. Waser, M. Aono. Nature Mater. 6, 833 (2007)
- I. Riess. J. Electroceram. 39, 61 (2017)
- D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, R.S. Williams. Nature 453, 80 (2008)
- J. Ouyang. Emerging Resistive Switching Memories. Springer, Berlin--Heidelberg (2016). 93 p
- Memristor and Memristive Neural Networks / Ed. A. James. IntechOpen, Rijeka (2018). 314 p
- D. Ielmini. Semicond. Sci. Technol. 31, 063002 (2016)
- G.S. Park, Y.B. Kim, S.Y. Park, X.S. Li, S. Heo, M.-J. Lee, M. Chang, J.H. Kwon, M. Kim, U.-I. Chung, R. Dittmann, R. Waser, K. Kim. Nature Commun. 4, 2382 (2013)
- J.S. Lee, S. Lee, T.W. Noh. Appl. Phys. Rev. 2, 031303 (2015)
- L. Zhu, J. Zhou, Z. Guo, Z. Sun. J. Materiom. 1, 285 (2015)
- M. Trapatseli, S. Cortese, A. Serb, A. Khiat, T. Prodromakis. J. Appl. Phys. 121, 184505 (2017)
- K.C. Chang, T.C. Chang, T.M. Tsai, R. Zhang, Y.-C. Hung, Y.-E. Syu, Y.-F. Chang, M.-C. Chen, T.-J. Chu, H.-L. Chen, C.-H. Pan, C.-C. Shih, J.-C. Zheng, S.-M. Sze. Nanoscale Res. Lett. 10, 120 (2015)
- C. La Torre, K. Fleck, S. Starschich, E. Linn, R. Waser, S. Menzel. Phys. Status Solidi A 213, 316 (2016)
- G.A. Patterson, P.I. Fierens, D.F. Grosz. Appl. Phys. Lett. 103, 74102 (2013)
- V. Ntinas, A. Rubio, G.Ch. Sirakoulis, S.D. Cotofana. In: Proc. 2019 IEEE Int. Symp. Circuits and Systems. Sapporo, Jpn (May 16-20, 2019). P. 1
- В.С. Анищенко, А.Б. Нейман, Ф. Мосс, Л. Шиманский-Гайер. УФН 169, 7 (1999)
- Д.О. Филатов, М.Н. Коряжкина, Д.А. Антонов, И.Н. Антонов, Д.А. Лискин, М.А. Рябова, О.Н. Горшков. ЖТФ 89, 1669 (2019)
- F. Pan, J. Jang, V. Subramanian. In: Proc. IEEE 70th Dev. Res. Conf. University Park, PA, USA (June 18-20, 2012). P. 217
- S. Ambrogio, B. Magyari-Kope, N. Onofrio, M.M. Islam, D. Duncan, Y. Nishi, A. Strachan. J. Electroceram. 39, 39 (2017)
- D.O. Filatov, D.A. Antonov, O.N. Gorshkov, A.P. Kasatkin, D.A. Pavlov, V.N. Trushin, I.A. Antonov, M.E. Shenina. In: Atomic Force Microscopy (AFM): Principles, Modes of Operation and Limitations / Ed. H. Yang. Nova Science, N.Y. (2014). P. 335
- J.Y. Seok, S.J. Song, J.H. Yoon, K.J. Yoon, T.H. Perk, D.E. Kwon, H. Lim, G.H. Kim, D.S. Jeong, C.S. Hwang. Adv. Funct. Mater. 24, 5316 (2014)
- M. Lanza. Materials 7, 2155 (2014)
- O.N. Gorshkov, A.N. Mikhaylov, A.P. Kasatkin, S.V. Tikhov. J. Phys., Conf. Ser. 741, 012174 (2016)
- S.V. Tikhov, O.N. Gorshkov, I.N. Antonov, A.E. Morozov, M.N. Koryazhkina, D.O. Filatov. Adv. Cond. Matter Phys. 2018. Article ID 2028491
- A.V. Yakimov, D.O. Filatov, O.N. Gorshkov, D.A. Antonov, D.A. Liskin, I.N. Antonov, A.V. Belyakov, A.V. Klyuev, A. Carollo, B. Spagnolo. Appl. Phys. Lett. 114, 253506 (2019)
- В.Г. Заводинский. ФТТ 46, 441 (2004)
- R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, K. Szot. ADV. Mater. 21, 2632 (2009)
- Е.В. Окулич, М.Н. Коряжкина, Д.С. Королев, А.И. Белов, М.Е. Шенина, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум, И.Н. Антонов, Ю.А. Дудин. Письма в ЖТФ 45, 14, 3 (2019).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
