Вышедшие номера
Создание и исследования структур металл-диэлектрик--полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок
Переводная версия: 10.1134/S1063783420030026
Афанасьев M.C.1, Киселев Д.А.1,2, Левашов C.A.1, Сивов A.A.1, Чучева Г.В.1
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова РАН, Фрязино, Московская обл., Россия
2Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: gvc@ms.ire.mssi.ru
Поступила в редакцию: 18 октября 2019 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.

В работе исследуется влияние температуры синтеза на микроструктуру и электрофизические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок состава Ba0.8Sr0.2TiO3 при формировании на кремниевые подложки p-типа с ориентацией [100]. Экспериментально установлено, что увеличение температуры синтеза приводит к улучшению диэлектрических и пьезоэлектрических свойств сегнетоэлектрических пленок. Показана температурная стабильность и устойчивость в поведении вольтфарадных характеристик МДП-структур от числа циклов переключения. Ключевые слова: структуры металл-диэлектрик-полупроводник, сегнетоэлектрические пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3, микроструктура, сканирующая зондовая микроскопия, вольтфарадные характеристики, емкость, циклы переключения.
  1. К.А. Воротилов, В.М. Мухортов, А.С. Сигов. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства / Под ред. А.С. Сигова. Энергоатомиздат, М. (2011). 175 с
  2. В.М. Мухортов, Ю.И. Юзюк. Гетероструктуры на основе наноразмерных сегнетоэлектрических пленок: получение, свойства и применение. Изд-во ЮНЦ РАН, Ростов н/Д, (2008). 224 с
  3. М.С. Афанасьев, М.С. Иванов. ФТТ 51, 1259 (2009)
  4. Д.А. Киселев, М.С. Афанасьев, С.А. Левашов, Г.В. Чучева. ФТТ 57, 6, 1134 (2015)
  5. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ПТЭ 6, 110 (1997)
  6. T. Hamano, D.J. Towner, B.W. Wessels. Appl.Phys. Lett. 83, 5274 (2003)
  7. P.M. Suherman, T.J. Jackson, Y.Y. Tse, I.P. Jones, R.I. Chakalova, M.J. Lancaster, A. Porch. J. Appl. Phys. 99, 104101-1 (2006)
  8. М.С. Афанасьев, Д.А. Киселев, С.А. Левашов, А.А. Сивов, Г.В. Чучева. ФТТ. 61, 1948 (2019)
  9. H. Khassaf, N. Khakpash, F. Sun, N.M. Sbrockey, G.S. Tompa, T.S. Kalkur, S.P. Alpay. Appl. Phys. Lett. 104, 20, 202902 (2014)
  10. Q. Lin, D.Y. Wang, Z.G. Chen, W.F. Liu, S. Li. ACS Appl. Mater. Interfaces. 7, 26301 (2015)
  11. P. Maksymovych, N. Balke, S. Jesse, M. Huijben, R. Ramesh, A.P. Baddorf, S.V. Kalinin. J. Mater. Sci. 44, 19, 5095 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.