Вышедшие номера
Электропроводность структур металл--диэлектрик--полупродник на основе сегнетоэлектрических пленок
Переводная версия: 10.1134/S1063783420010035
Афанасьев М.С.1, Гольдман Е.И.1, Чучева Г.В.1, Набиев А.Э.2, Гусейнов Дж.И.2, Алиев Н.Ш.3
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
2Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
3Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Поступила в редакцию: 19 августа 2019 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.

Приводятся результаты экспериментальных исследований частотных и температурных зависимостей электропроводности структур металл--диэлектрик--полупроводник на основе сегнетоэлектрических пленок состава Ba0.8Sr0.2TiO3. Установлено, что в температурном интервале 290-400 K в диапазоне частот 25-106 Hz проводимость подчиняется закону sigma propto f0.76, характерному для прыжкового механизма переноса заряда по локализованным вблизи уровня ферми-состояниям. Оценены плотность этих состояний, среднее расстояние и время прыжков. Ключевые слова: структуры металл-диэлектрик-полупроводник, сегнетоэлектрические пленки, твердые растворы титаната бария-стронция, проводимость по переменному току.
  1. V.R. Mudinepalli, L. Feng, W.-C. Lin., B.S. Murty. J. Adv. Ceram. 4,  46 (2015)
  2. К.А. Воротилов, В.М. Мухортов, А.С. Сигов. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства / Под ред. А.С. Сигова. Энергоатомиздат, М. (2011). 175 с
  3. T. Teranishi, T. Sogabe, H. Hayashi, A. Kishimoto,  K. Fujimori. Jpn. J. Appl. Phys. 52, 09KF06-1 (2013)
  4. М.С. Афанасьев, А.И. Левашова, С.А. Левашов, В.Г. Нарышкина, Г.В. Чучева, А.Э. Набиев. Соврем. информ. электрон. технологии 2, 128 (2014)
  5. М.С. Афанасьев, А.Э. Набиев, Г.В. Чучева. ФТТ 57, 1354 (2015)
  6. Ю.М. Поплавко, Л.П. Переверзева, И.П. Раевский. Физика активных диэлектриков. Изд-во Южного федерального ун-та. Ростов н/Д. (2009). 479 с
  7. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1982). 664 с
  8. M. Pollak. Philos Mag. 23, 519 (1971)
  9. M. Pollak. Тр. VI междунар. конф. по аморфным и жидким полупроводникам. Ленинград (18--24 ноября 1975) Наука, Л. (1976). С. 79
  10. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). 416 с
  11. A.L. Efros, B.I. Shklovski. Phys. Status Solidi B 76, 475 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.