Вышедшие номера
Impact of Elastic Stress on Crystal Phase of GaP Nanowires
Полная версия: 10.1134/S1063783419120503
Russian Foundation for Basic Research, 18-02-01052
Russian Foundation for Basic Research, 18-32-00842
Sibirev N.V. 1,2, Berdnikov Y.S. 1, Sibirev V.N. 3
1ITMO University, Saint-Petersburg, Russia
2Saint-Petersburg State University, Saint Petersburg,Russia
3Saint-Petersburg Mining University, Saint Petersburg, Russia
Email: nicksibirev@itmo.ru, yury.berdnikov@itmo.ru, Sibirev_VN@pers.spmi.ru
Поступила в редакцию: 16 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

In most cases,III-V compounds form a crystal structure, which is stable under certain experimental conditions. Meantime crystal phase of III-V nanowires may differ from the stable phase of bulk structures. In this work, we show that the elastic stress could be the sole factor responsible for nanowire growth in the metastable phase. Depending on the experimental conditions of GaP nanowire growth, the elastic stress contribution to nucleation barrier can be greater than the difference in the energy of the formation of the cubic and hexagonal phase,and thus, it causes the growth in metastable wurtzite crystal phase. Keywords: nanowire,phosphide,polytypes,elastic strain.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.