Вышедшие номера
Влияние ориентации кремниевой подложки с буферным подслоем карбида кремния на диэлектрические и полярные свойства пленок нитрида алюминия
Переводная версия: 10.1134/S1063783419120485
Министерство образования и науки Российской Федераци, № 16.2811.2017/4.6
Министерство образования и науки Российской Федераци, № 11.9706.2017/7.8
Сергеева О.Н. 1,2, Солнышкин А.В. 1,2, Киселев Д.А. 2,3, Ильина Т.С. 2,3, Кукушкин С.А. 2,4, Шарофидинов Ш.Ш.2,5, Каптелов Е.Ю. 2,5, Пронин И.П. 2,5
1Тверской государственный университет, Тверь, Россия
2Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
4Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
5Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: o_n_sergeeva@mail.ru, a.solnyshkin@mail.ru, dm.kiselev@misis.ru, iltany94@mail.ru, sergey.a.kukushkin@gmail.com, shukrillo71@mail.ru, kaptelov@mail.ioffe.ru, Petrovich@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 16 июля 2019 г.
В окончательной редакции: 16 июля 2019 г.
Принята к печати: 25 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

Исследуются диэлектрические и полярные свойства тонких пленок нитрида алюминия (AlN), эпитаксиально выращенных на различно ориентированных кремниевых подложках p-типа проводимости с буферным подслоем карбида кремния (SiC), а также на вицинальных плоскостях. По результатам исследований полярных свойств двумя независимыми методами - динамического пироэффекта и силовой микроскопии пьезоотклика, показано, что использование буферного слоя SiC существенно улучшает полярные свойства тонких слоев нитрида алюминия. Ключевые слова: подложки кремния с различной ориентацией, вицинальные поверхности, буферный слой карбида кремния, тонкие слои нитрида алюминия, пироэлектрический эффект, пьезоэлектрический эффект.
  1. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 50, 1188 (2008)
  2. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D 47, 313001 (2014)
  3. В.Н. Бессолов, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, Л.М. Сорокин, Н.А. Феоктистов, Ш.Ш. Шарофидинов, М.П. Щеглов, С.А. Кукушкин, Л.И. Метс, А.В. Осипов. Письма в ЖТФ 36, 17 (2010)
  4. В.Н. Бессолов, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, Л.М. Сорокин, Н.А. Феоктистов, Ш.Ш. Шарофидинов, М.П. Щеглов, С.А. Кукушкин, Л.И. Метс, А.В. Осипов. Опт. журн. 78, 23 (2011)
  5. Ш.Ш. Шарофидинов, С.А. Кукушкин, А.В. Редьков, А.С. Гращенко, А.В. Осипов. Письма в ЖТФ 45, 24 (2019)
  6. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh. Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994)
  7. S. Guha, N.A. Bojarczuk. Appl. Phys. Lett. 72, 415 (1998)
  8. A. Dadgar, C. Hums, A. Diez, J. Blasing, A. Krost. J. Cryst. Growth. 297, 279 (2006)
  9. С.Ю. Давыдов. ФТТ 51, 164 (2009)
  10. Y. Abe, T. Isshiki, S. Suzuki, A. Yoshida, H. Ohishi, H. Nakanishi. Mater. Sci. Forum 600, 1281 (2009)
  11. В.Н. Бессолов, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, Н.К. Полетаев, Ш.Ш. Шарофидинов, М.П. Щеглов. Письма в ЖТФ 38, 21 (2012)
  12. Duc V. Dinh, S. Presa, M. Akhter, P.P. Maaskant, B. Corbett, P. Parbroo. Semiconductor Sci. Technology 30, 125007 (2015)
  13. P. Muralt. Rep. Progr. Phys. 64, 1339 (2001)
  14. S. Trolier-McKinstry, P. Muralt. J. Electroceram. 12, 7 (2004)
  15. A. Artieda, M. Barbieri, C.S. Sandu, P. Muralt. J. Appl. Phys. 105, 024504 (2009)
  16. K. Tonisch, V. Cimalla, Ch. Foerster, H. Romanus, O. Ambacher, D. Dontsov. Sensors Actuators A 132, 658 (2006)
  17. P. Muralt. J. Am. Ceram. Soc. 91, 1385 (2008)
  18. L. Natta, V.M. Mastronardi, F. Guido, L. Algieri, S. Puce, F. Pisano, F. Rizzi, R. Pulli, A. Qualtieri, M. De Vittorio. Sci. Rep. 9, 8392 (2019)
  19. O.N. Sergeeva, A.A. Bogomolov, A.V. Solnyshkin, N.V. Komarov, S.A. Kukushkin, D.M. Krasovitsky, A.L. Dudin, D.A. Kiselev, S.V. Ksenich, S.V. Senkevich, E.Yu. Kaptelov I.P. Pronin. Ferroelectrics 477, 121 (2015)
  20. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, О.Н. Сергеева, Д.А. Киселев, А.А. Богомолов, А.В. Солнышкин, Е.Ю. Каптелов, С.В. Сенкевич, И.П. Пронин. ФТТ 58, 937 (2016)
  21. V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, S.N. Rodin. Rev. Adv. Mater. Sci. 38, 75 (2014)
  22. K.Ch. Chiu, T.H. Yang, J.M. Wu. Nanotechnology 24, 225602 (2013)
  23. H. Shin, J.-T. Song. J. Korean Phys. Soc. 56, 580 (2010)
  24. B.J. Rodriguez, A. Gruverman, A.I. Kingon, R.J. Nemanich. J. Cryst. Growth 246, 252 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.