Представлены результаты экспериментальных исследований электронных и фотоэмиссионных свойств эпитаксиального слоя GaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на подложке SiC/Si(111). Электронная структура поверхности GaN и ультратонкого интерфейса Li/GaN была впервые исследована in situ в условиях сверхвысокого вакуума при различных покрытиях Li. Эксперименты проводились с использованием фотоэлектронной спектроскопии при синхротронном излучении в диапазоне энергий фотонов 75-850 eV. Спектры фотоэмиссии в области валентной зоны и поверхностных состояний и спектры фотоэмиссии из остовных уровней N 1s, Ga 3d, Li 2s были изучены при различных субмонослойных покрытиях Li. Установлено, что адсорбция Li вызывает существенные изменения в общем виде спектров, вызванные переносом заряда между слоем Li и нижними слоями N и Ga. Установлено, что поверхность GaN имеет преимущественно N-полярность. Показан полупроводниковый характер интерфейса Li/GaN. Ключевые слова: нитрид галлия, структура валентной зоны, фотоэлектронная спектроскопия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.