Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние химического состава кристаллов TlIn_1-xEr_xS₂ (0≤ x≤0.01) на их диэлектрические характеристики и параметры локализованных состояний

DOI: 10.21883/FTT.2019.11.48403.517

Переводная версия: 10.1134/S1063783419110246

Мустафаева С.Н.¹, Асадов М.М.²

¹Институт физики НАА, Баку, Азербайджан Institute of Physics, Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku, Azerbaijan

²Институт катализа и неорганической химии им. акад. М. Нагиева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан Institute of Catalysis and Inorganic Chemistry named after Academician M. Nagiyev, Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku, Azerbaijan

Institute of Catalysis and Inorganic Chemistry named after Academician M. Nagiyev, Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku, Azerbaijan

Email: solmust@gmail.com

Поступила в редакцию: 17 июня 2019 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В полученных кристаллах TlIn_1-xEr_xS₂ (0≤ x≤0.01) изучены частотные зависимости действительной (ε') и мнимой (ε'') составляющих комплексной диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь (tgdelta) и ac-проводимости (sigma_ac) в области частот f=5·10⁴-3.5·10⁷ Hz. Установлено, что в TlIn_1-xEr_xS₂ имеет место релаксационная дисперсия ε' и ε''. Изучено влияние концентрации эрбия (Er) в кристаллах TlIn_1-xEr_xS₂ на их диэлектрические коэффициенты. В области высоких частот ac-проводимость кристаллов TlIn_1-xEr_xS₂ подчинялась закономерности sigma_ac~ f^0.8, характерной для прыжкового механизма переноса заряда по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям. Оценены параметры локализованных в запрещенной зоне TlIn_1-xEr_xS₂ состояний, а также влияние химического состава кристаллов на эти параметры. Ключевые слова: сложные кристаллы TlIn_1-xEr_xS₂, частотная дисперсия, диэлектрические потери, прыжковый механизм переноса заряда, параметры локализованных состояний.

Y. Shim, W. Okada, K. Wakita, N. Mamedov. J. Appl. Phys. 102, 1 (2007)
T.D. Ibragimov, I.I. Aslanov. Solid State Commun. 123, 339 (2002)
O.Z. Alekperov, G.B. Ibragimov, I.A. Axundov, A.I. Nadjafov, A.R. Fakix. Phys. Status Solidi C 6, 981 (2009)
M.M. El-Nahass, S.B. Youssef, H.A.M. Ali, A. Hassan. Eur. Phys. J. Appl. Phys. 55, 1 (2011)
O.O. Gomonnai, R.R. Rosul, P.P. Guranich, A.G. Slivka, I.Yu. Roman, M.Yu. Rigan. High Press. Res. 32, 39 (2012)
M. Isik, S. Delice, N.M. Gasanly. Acta Phys. Pol. A 126, 1299 (2014)
S. Delice, N.M. Gasanly. Physica B 499, 44 (2016)
I.M. Ashraf, A. Salem, M.J.A.L. Salah. Euro. J. Appl. Eng. Sci. Res. 6, 2, 34 (2018)
А.П. Одринский, M.-H.Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, Т.Г. Мамедов, В.Б. Алиева. ФТТ 58, 4, 696 (2016)
Y. Araki, R. Asaba, K. Wakita, Y.G. Shim, K. Mimura, N. Mamedov. Phys. Status Solidi C 10, 1136 (2013)
K. Wakita, M. Hagiwara, R. Paucar, Y. Shim, K. Mimura, N. Mamedov. J. Phys. Conf. Ser. 619 (2015). 012006. doi:10.1088/1742-6596/619/1/012006
С.Н. Мустафаева, В.А. Алиев, М.М. Асадов. ФТТ 40, 4, 612 (1998)
С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, В.А. Рамазанзаде. ФТТ 38, 1, 14 (1996)
А.В. Короткий, А.У. Шелег, В.В. Шевцова, А.В. Мудрый, С.Н. Мустафаева. Журн. прикл. спектроскопии 79, 3, 418 (2012)
С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмайлов. ФТТ 51, 11, 2140 (2009)
А.У. Шелег, В.Г. Гуртовой, В.В. Шевцова, С.Н. Мустафаева. ФТТ 54, 9, 1754 (2012)
S.N. Mustafaeva, V.A. Ramazanzade, M.M. Asadov. Mater. Chem. Phys. 40, 2, 142 (1995)
С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, В.А. Рамазанзаде. Неорган. материалы 31, 3, 318 (1995)
С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, Э.М. Керимова, Н.З. Гасанов. Неорган. материалы 49, 12, 1271 (2013)
С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, Э.М. Керимова. ФТТ 55, 12, 2346 (2013)
А.У. Шелег, В.В. Шевцова, В.Г. Гуртовой, С.Н. Мустафаева. Поверхность. Рентг., синхр. нейтр. исслед. 11, 39 (2013)
С.Н. Мустафаева. Журн. pадиоэлектроники. 5, 1 (2008)
В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. Материалы электронной техники. Высш. шк., М. (1986). 368 с
Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1974). 472 c
Ю.И. Равич, С.А. Немов. ФТП 36, 1, 3 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель