Вышедшие номера
Неоднородные состояния тонкопленочного несоразмерного сегнетоэлектрика
Ктиторов С.А.1, Погорелова О.С.2, Чарная Е.В.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Северо-Западный государственный медицинский университет им. И.И. Мечникова, Санкт-Петербург, Россия
3Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петродворец, Россия
Email: ktitorov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Рассмотрены неоднородные конфигурации параметра порядка в пленке несоразмерного сегнетоэлектрика, в разложении свободной энергии которого отсутствуют инварианты Лифшица. Уравнение, описывающее распределение параметра порядка по толщине пленки, получено в приближении медленно меняющихся амплитуд. Изучено влияние толщины пленки и свойств поверхности на температуру перехода в несоразмерную фазу.