Исследован процесс интеркалирования кобальтом однослойного графена, выращенного на политипе 4H-SiC(0001). Эксперименты проведены in situ в условиях сверхвысокого вакуума методами фотоэлектронной спектроскопии высокого энергетического разрешения с использованием синхротронного излучения и дифракции медленных электронов. Номинальные толщины наносимых слоев кобальта варьировались в диапазоне 0.2-5 nm, а температура образцов - от комнатной до 800^oC. Показано, что отжиг пленок Со, напыленных на графен при комнатной температуре, в отличие от пленок Fe, не приводит к интеркалированию графена кобальтом. Формирование интеркаляционной системы графен-кобальт-SiC обнаружено при нанесении атомов Со на образцы, нагретые до температур выше ~400^oC. Этим способом под графеном сформированы пленки кобальта толщиной до 2 nm и показано, что они намагничиваются вдоль поверхности при толщинах более 1.3 nm. Обнаружено, что интеркалирование графена кобальтом сопровождается химическим взаимодействием атомов Со с карбидом кремния, приводящим к синтезу силицидов кобальта. При температурах более 500^oC рост пленок кобальта под графеном лимитируется диффузией атомов Со в объем карбида кремния. Ключевые слова: графен на карбиде кремния, кобальт, интеркаляция, ферромагнитные пленки, фотоэлектронная спектроскопия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.