Издателям
Вышедшие номера
Упругие поля винтовой супердислокации с полым ядром (трубки), перпендикулярной свободной поверхности кристалла
Шейнерман А.Г.1, Гуткин М.Ю.1
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: gutkin@def.ipme.ru
Поступила в редакцию: 12 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2003 г.

Рассмотрены винтовые супердислокации с полыми ядрами (трубки), формирующиеся в процессе роста полупроводниковых кристаллов типа карбида кремния и нитрида галлия. Впервые получены точные аналитические выражения для полей перемещений, деформаций и напряжений трубки, перпендикулярной плоской свободной поверхности упругоизотропного полупространства. Показано, что строгий учет граничных условий на цилиндрической свободной поверхности трубки существенно влияет на поле напряжений содержащейся в ней дислокации. Область сильного влияния расположена вокруг трубки на расстоянии порядка ее радиуса. В этой области упругие деформации могут достигать величин порядка долей процента. Полученные результаты могут быть использованы при анализе взаимодействий трубок между собой и с другими дефектами, а также для моделирования их поведения в процессе роста кристалла. Работа выполнена при поддержке программы "Физика твердотельных наноструктур" Минпрома России и программы "Интеграция" (грант Б0026).
  • А. Варма. Рост кристаллов и дислокации. ИЛ, М. (1958). 216 с
  • J. Newey. Compound Semiconductor, July 2002 (http: /www.compoundsemiconductor.net/magazine/article/8/7/2/1)
  • W. Qian, M. Skowronski, K. Doverspike, L.B. Rowland, D.K. Gaskill. J. Cryst. Growth 151, 396 (1995)
  • W. Qian, G.S. Rohrer, M. Skowronski, K. Doverspike, L.B. Rowland, D.K. Gaskill. Appl. Phys. Lett. 67, 16, 2284 (1995)
  • E. Valcheva, T. Paskova, P.O.Angstrem. Persson, B. Monemar. Phys. Stat. Sol. (a) 194, 2, 532 (2002)
  • Q. Wahab, A. Ellison, C. Hallin, A. Henry, J. Di Persio, R. Martinez, E. Janzen. Mater. Sci. Forum 338--342, 1175 (2000)
  • I. Kamata, H. Tsuchida, T. Jikimoto, K. Izumi. Jpn. J. Appl. Phys. 40, part 2, L1012 (2001)
  • N. Ohtani, T. Fujimoto, M. Katsuno, T. Aigo, H. Yashiro. In: Technical Digest of Int. Conf. on SiC and Related Materials (ICSCRM 2001), Tsukuba, Japan (2001). P. 192
  • L. Scaltrito, F. Giorgis, C.F. Pirri, P. Mandracci, C. Ricciardi, S. Ferrero, C. Sgorlon, G. Richieri, L. Merlin. J. Phys.: Condens. Matter 14, 13 397 (2002)
  • N. Ohtani, T. Fujimoto, M. Katsuno, T. Aigo, H. Yashiro, J. Cryst. Growth 237--239, 1180 (2002)
  • C.-Y. Hwang, M.J. Schurman, W.E. Mayo, Y.-C. Lu, R.A. Stall, T. Salagaj. J. Electron. Maters. 26, 3, 243 (1997)
  • J. Elsner, R. Jones, P.K. Sitch, V.D. Porezag, M. Elstner, Th. Frauenheim, M.I. Heggie, S. Oberg, P.R. Briddon. Phys. Rev. Lett. 79, 19, 3672 (1997)
  • D. Cherns. J. Phys.: Condens. Matter 12, 49, 10 205 (2000)
  • Z. Liliental-Weber. J. Electron. Maters. 49, 339 (2000)
  • D.D. Avrov, A.S. Bakin, S.I. Dorozhkin. In: Inst. Phys. Conf. Ser. N 142. Ch. 1. Paper pres. at the 6th Int. Conf. on Silicon carbide and related materials-1995 (ICSCRM'95). Kyoto, Japan (1995). P. 73
  • Yu.A. Vodakov, A.D. Roenkov, M.G. Ramm, E.N. Mokhov, Yu.N. Makarov. Phys. Stat. Sol. (b) 202, 1, 177 (1997)
  • Z. Liliental-Weber, Y. Chen, S. Ruvimov, W. Swider, J. Washburn. MRS Proc. 449, 417 (1997)
  • J. Heindl, H.P. Strunk, V.D. Heydemann, G. Pensl. Phys. Stat. Sol. (a) 162, 1, 251 (1997)
  • G. Augustine, H.McD. Hobgood, V. Balakrishna, G. Dunne, R.H. Hopkins. Phys. Stat. Sol. (b) 202, 1, 137 (1997)
  • X.R. Huang, M. Dudley, W.M. Vetter, W. Huang, S. Wang, C.H. Carter. Appl. Phys. Lett. 74, 3, 353 (1999)
  • M. Dudley, X.R. Huang, W. Huang, A. Powell, S. Wang, P. Neudeck, M. Skowronski. Appl. Phys. Lett. 75, 6, 784 (1999)
  • D. Hofmann, M. Bickermann, R. Eckstein, M. Kolbl, St.G. Muller, E. Schmitt, A. Weber, A. Winnacker. J. Cryst. Growth 198--199, 1005 (1999)
  • Л.М. Сорокин, А.С. Трегубова, М.П. Щеглов, А.А. Лебедев, Н.С. Савкина. ФТТ 42, 8, 1384 (2000)
  • B.M. Epelbaum, D. Hofmann, U. Hecht, A. Winnacker. In: 3rd European Conf. on SiC and related mater. (ECSRM). Abstr. KlosterBanz, Germany (2000). P. 49
  • I. Kamata, H. Tsuchida, T. Jikimoto, K. Izumi. Jpn. J. Appl. Phys. 39, part 1, 12A, 6496 (2000)
  • T.A. Kuhr, E.K. Sanchez, M. Skowronski, W.M. Vetter, M. Dudley. J. Appl. Phys. 89, 8, 4625 (2001)
  • N. Ohtani, M. Katsuno, T. Fujimoto, T. Aigo, H. Yashiro. J. Cryst. Growth 226, 2/3, 254 (2001)
  • B.M. Epelbaum, D. Hofmann. J. Cryst. Growth 225, 1, 1 (2001)
  • T.S. Argunova, M.Yu. Gutkin, J.H. Je, H.S. Kang, Y. Hwu, W.-L. Tsai, G. Margaritondo. J. Mater. Res. 17, 10, 2705 (2002)
  • M.Yu. Gutkin, A.G. Sheinerman, T.S. Argunova, J.H. Je, H.S. Kang, Y. Hwu, W.-L. Tsai. J. Appl. Phys. 92, 2, 889 (2002)
  • F.C. Frank. Acta Crystallogr. 4, 497 (1951)
  • P. Pirouz. Phil. Mag. A78, 3, 727 (1998)
  • M.Yu. Gutkin, A.G. Sheinerman. Phys. Stat. Sol. (b) 231, 2, 356 (2002)
  • А.Л. Колесникова, А.Е. Романов. Препринт ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР N 1019. Л. (1986). 62 с
  • S.J. Shaibani, P.M. Hazzledine. Phil. Mag. A44, 3, 657 (1981)
  • T.-W. Chou. J. Appl. Phys. 42, 12, 4931 (1971)
  • G. Eason, B. Noble, I.N. Sneddon. Phil. Trans. Roy. Soc. London 247, 935, 529 (1955)
  • В.А. Лихачев, Р.Ю. Хайров. Введение в теорию дисклинаций. Изд-во ЛГУ, Л. (1975). 183 с
  • W. Si, M. Dudley, R. Glass, V. Tsvetkov, C. Carter, Jr. J. Electron. Maters. 26, 3, 128 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.