Вышедшие номера
Перестройка дефектной структуры тетрабората лития (Li2B4O7) во внешнем электрическом поле
Переводная версия: 10.1134/S1063783419040188
Куликов А.Г. 1,2, Писаревский Ю.В.1,2, Благов А.Е.1,2, Марченков Н.В.1,2, Ломонов В.А.1, Петренко А.А.1,2, Ковальчук М.В.1,2
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: ontonic@gmail.com
Поступила в редакцию: 7 сентября 2018 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2019 г.

С помощью рентгеновской дифрактометрии изучен процесс перестройки дефектной структуры монокристалла тетрабората лития под воздействием внешнего электрического поля высокой напряженности, приложенного вдоль полярного направления [001]. Измерена кинетика проводимости, которая согласуется с изменениями КДО. При приложении электрического поля напряженностью 300-500 V/mm, происходит резкое уширение кривой дифракционного отражения и рост интегральной интенсивности в несколько раз, но ее положение и форма практически не меняются. При еще более сильных полях, напряженностью от 500 до 1500 V/mm, процесс уширения кривой замедляется, однако наблюдается появление асимметрии формы и резкое смещение пика в область меньших углов, что связано с увеличением параметра решетки вдоль оси c. При этом изменения приобретают квазиобратимый характер, так как искаженная структура частично восстанавливается с очень медленной скоростью (в течение нескольких месяцев). Два типа зависимостей изменения параметров кривой дифракционного отражения от внешнего поля интерпретируются, как проявление двух механизмов ионной проводимости: за счет мобильных ионов лития (Li+) при малых полях и вакансий кислорода (VO2+) при более высоких полях. Процесс миграции носителей зарядов приводит к увеличению концентрации дефектов и структурным изменениям в приповерхностной области кристалла. Полученные результаты имеют практическое значение с точки зрения управляемого изменения дефектной структуры в кристаллах с ионной проводимостью. Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования в рамках выполнения работ по Государственному заданию ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН в части "выращивания, подготовки кристаллов и моделирования кривых дифракционного отражения" и Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 16-29-14057 офи_м) в части "проведения исследований в условиях воздействия электрического поля".
  1. J.D. Garrett, M. Natarajan-Iyer, J.E. Greedan. J. Cryst. Growth 41, 225 (1977)
  2. D. Robertson, I. Young. J. Mater. Sci. 17, 1729 (1982)
  3. R. Mohandoss, S. Dhanuskodi, B. Renganathan, D. Sastikumar. Current Appl. Phys. 13, 957 (2013)
  4. I. Ketsman, D. Wooten, J. Xiao, Ya.B. Losovyj, Ya.V. Burak, V.T. Adamiv, A. Sokolov, J. Petrosky, J. McClory, P.A. Dowben. Phys. Lett. A 374, 891 (2010)
  5. J.H. Schulman, R.D. Kirk, E.J. West. In: Proceedings of International Conference on Luminescence Dosimetry. Stanford University, Stanford, California (1965). 113--118 (1967)
  6. S. Furusawa, O. Chikagawa, S. Tange, T. Ishidate, H. Orihara, Y. Ishibashi, K. Miwa. J. Phys. Soc. Jpn. 60, 2691 (1991)
  7. R. Komatsu, T. Sugawara, K. Sassa, N. Sarukura, Z. Liu, S. Izumida, Y. Segawa, S. Uda, T. Fukuda, K. Yamanouchi. Appl. Phys. Lett. 70, 3492 (1997)
  8. A.S. Bhalla, L.E. Cross, R.W. Whatmore. Jpn. J. Appl. Phys. 24, 727 (1985)
  9. R.W. Whatmore, N.M. Shorrocks, C. O'Hara, F.W. Ainger, I.W. Young. Electron. Lett. 17, 11 (1981)
  10. C.В. Радаев, Л.А. Мурадян, Л.Ф. Малахова, Я.В. Бурак, В.И. Симонов. Кристаллография 34, 6, 1400 (1989)
  11. А.Э. Алиев, Я.В. Бурак, И.Т. Лысейко. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 26, 1991 (1990)
  12. И.М. Ризак, В.М. Ризак, Н.Д. Байса, В.С. Биланич, М.В. Богуславский, С.Ю. Стефанович, В.М. Головей. Кристаллография 48, 4, 727 (2003)
  13. C.S. Kim, D.J. Kim, Y.H. Hwang, H.K. Kim, J.N. Kim. J. Appl. Phys. 92, 4644 (2002)
  14. C.S. Kim, Y.H. Hwang, H.K. Kim, J.N. Kim. Phys. Chem. Glass. 44, 166 (2003)
  15. M.M. Islam, T. Bredow, C. Minot. J. Phys. Chem. B 110, 17518 (2006)
  16. S. Furusawa, S. Tange, Y. Ishibashi, K. Miwa. J. Phys. Soc. Jpn. 59, 7, 2532 (1990)
  17. М.В. Ковальчук, А.Е. Благов, А.Г. Куликов, Н.В. Марченков, Ю.В. Писаревский. Кристаллография 59, 6, 862 (2014)
  18. А.Г. Куликов, А.Е. Благов, Н.В. Марченков, В.А. Ломонов, А.В. Виноградов, Ю.В. Писаревский, М.В. Ковальчук. Письма в ЖЭТФ 107, 10, 679 (2018)
  19. J. Hanzig, M. Zschornak, F. Hanzig, E. Mehner, H. Stocker. Phys. Rev. B 88, 024104 (2013)
  20. А.Е. Благов, Н.В. Марченков, Ю.В. Писаревский, П.А. Просеков, М.В. Ковальчук. Кристаллография 58, 1, 28 (2013)
  21. A.E. Blagov, A.G. Kulikov, N.V. Marchenkov, Y.V. Pisarevsky, M.V. Kovalchuk. Exp. Tech. 41, 517 (2017)
  22. А.Е. Благов, Ю.В. Писаревский, А.В. Таргонский, Я.А. Элиович, М.В. Ковальчук. ФТТ 59, 5, 947 (2017)
  23. Н.В. Марченков, Ф.Н. Чуховский, А.Е. Благов. Кристаллография 60, 2, 194 (2015)
  24. И.И. Аткнин, Н.В. Марченков, Ф.Н. Чуховский, А.Е. Благов, М.В. Ковальчук. Кристаллография 63, 4, 513 (2018)
  25. В.В. Зарецкий, Я.В. Бурак. Письма в ЖЭТФ 49, 4, 198 (1989)
  26. В.Н. Анисимова, А.П. Леванюк, Е.Д. Якушин. ФТТ 32, 7, 2154 (1990)
  27. И.М. Сильвестрова, П.А. Сенющенков, В.А. Ломонов, Ю.В. Писаревский. ФТТ 31, 10, 311 (1989)
  28. Е.М. Зуб. ФТТ 39, 8, 1461 (1997)
  29. N. Sennovaa, R.S. Bubnovac, G. Cordiera, B. Alberta, S.K. Filatovb, L. Isaenkod. Z. Anorg. Allg. Chem. 634, 2601 (2008)
  30. I.N. Ogorodnikov, N.E. Poryvay, V.A. Pustovarov. IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. 15, 1, 012016 (2010).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.