Вышедшие номера
О фазовом разделении в слоях (Ga,Mn)As, полученных ионной имплантацией и последующим лазерным отжигом
Переводная версия: 10.1134/S1063783419030119
Ганьшина Е.А.1, Голик Л.Л.2, Кунькова З.Э.2, Зыков Г.С.1, Маркин Ю.В.2, Данилов Ю.А.3, Звонков Б.Н.3
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: eagan@mail.ru
Поступила в редакцию: 2 октября 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

Приведены результаты исследований спектральных, температурных и полевых зависимостей экваториального эффекта Керра в слоях Ga1-xMnxAs (x=0.0066-0.033), полученных ионной имплантацией и последующим импульсным лазерным отжигом. Сложный немонотонный характер температурных зависимостей экваториального эффекта Керра и его зависимость от диапазона измерений свидетельствуют о магнитной неоднородности слоев. Причинами неоднородности могут быть гауссово распределение Mn по толщине слоев и электронное фазовое разделение в них. Появление новых особенностей в спектрах экваториального эффекта Керра объяснено наличием в легированной полупроводниковой матрице нанообластей с более высокой концентрацией носителей, с большей температурой Кюри и смещением уровня Ферми вглубь валентной зоны, приводящим к увеличению энергии оптических переходов. Работа выполнена в рамках реализации государственного задания - проект 8.1751.2017/ПЧ Минобрнауки России и при поддержке РФФИ (грант 16-07-01102_а).